مقاومت مغناطیسی تنظیم‌پذیر در پیوندگاه گرافین گاف‌دار تحت کشش در حضور سد مغناطیسی
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
حاجتی یاسر
|
|
منبع
|
پژوهش سيستم هاي بس ذره اي - 1397 - دوره : 8 - شماره : 19 - صفحه:58 -70
|
|
|
|
|
چکیده
|
در تحقیق حاضر با اعمال هم‌زمان کشش و سد مغناطیسی به گرافین گاف‌دار که بین دو الکترود فرومغناطیسی قرار گرفته است ضریب عبور و رسانش پیوندگاه بررسی شده و شرایط رسیدن به بیشینه مقاومت مغناطیسی مهیا شده است. نتایج نشان می‌دهند اعمال کشش به تنهایی منجر به ایجاد گاف دره‌ای در ساختار گرافین نمی‌شود و این گاف با اعمال سد مغناطیسی در حضور کشش در ساختار گرافین قابل ایجاد و با تغییر مقدار گاف جرمی زیر لایه قابل کنترل و تنظیم است. همچنین نشان داده شده است که مقاومت مغناطیسی پیوندگاه به شدت به پارامترهای کشش اعمالی به گرافین، سد مغناطیسی، پیکربندی بردار مغناطش نواحی فرومغناطیس و گاف جرمی زیر لایه وابسته است به گونه ای که با انتخاب مقادیر مناسبی برای پارامترهای مذکور، مقاومت مغناطیسی پیوندگاه به 100% می‌رسد. به طور مشخص برای دره k با تغییر پیکربندی از موازی به پادموازی با اعمال مقادیر مذکور، نمودار رسانش پادموازی سریع‌تر نسبت به نمودار رسانش موازی به صفر می‌رسد. در این شرایط پیوندگاه فقط برای پیکربندی رسانش موازی از خود عبور نشان می‌دهد که این امر منجر به بیشینه شدن مقاومت مغناطیسی پیوندگاه می‌شود. تنظیم‌پذیر بودن مقاومت مغناطیسی پیوندگاه نشان دهندۀ کاربرد آن در وسایل اسپین-الکترونیکی بر پایۀ گرافین است.
|
|
کلیدواژه
|
مقاومت مغناطیسی، کشش، سد مغناطیسی، گرافین گاف‌دار
|
|
آدرس
|
دانشگاه شهید چمران اهواز, دانشکده علوم, گروه فیزیک, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
yaserhajati@scu.ac.ir
|
|
|
|
|
|
|