|
|
|
|
بهبود عملکرد ابزارهای الکترونیکی بر پایه پلی تیوفین به روش مهندسی گاف انرژی در حضور گرافین
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
مرصوصی فرح ,منوری مصطفی
|
|
منبع
|
پژوهش سيستم هاي بس ذره اي - 1397 - دوره : 8 - شماره : 19 - صفحه:182 -198
|
|
|
|
|
چکیده
|
نظریه تابعی چگالی (dft) و نظریه اختلال بس ذره‌ای g0w0 به منظور بررسی تغییر خواص الکترونی پلیمر پلی‌تیوفین (pt) در مجاورت گرافین به کار گرفته شدند. نتیجه تحلیل تغییر چگالی بار نسبت به قبل از برهمکنش متقابل، نشان دهنده‌ی شکلگیری دوقطبی الکتریکی قوی و جذب از نوع فیزیکی در سطح می‌باشد. تغییر پتانسیل الکتریکی محاسبه شده نشان‌دهنده‌ی تغییر تابع کار به مقدار از مقدار اولیه آن است. نتایج به دست آمده ازdft تغییری را در گاف انرژی پلیمر نشان نمی‌دهند، در حالی که تغییر گاف انرژی در مجاورت گرافین نسبت به زنجیره منفرد که از نتایج نظریه اختلال بسذرهای g0w0 به دست آمده است چشمگیر است.
|
|
کلیدواژه
|
تابع کار، ساختار نواری، جذب فیزیکی، چگالی بار الکترونی، دوقطبی الکتریکی، نظریه اختلال بسذرهای
|
|
آدرس
|
دانشگاه صنعتی امیرکبیر (پلی تکنیک تهران), دانشکده مهندسی انرژی و فیزیک, گروه فیزیک, ایران, دانشگاه صنعتی امیرکبیر (پلی تکنیک تهران), دانشکده مهندسی انرژی و فیزیک, گروه فیزیک, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
smmonavari@aut.ac.ir
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Improvement of performance of electronic devices based on polythiophane using band gap engineering in the presence of graphene.
|
|
|
|
|
Authors
|
monavari seyedmostafa
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|