>
Fa   |   Ar   |   En
   رسانش اسپینی گرافین گاف دار  
   
نویسنده مروی سعید ,مرادیان رستم ,رضانیا حامد
منبع پژوهش سيستم هاي بس ذره اي - 1397 - دوره : 8 - شماره : 17 - صفحه:145 -155
چکیده    در این مقاله رسانش اسپینی گرافین گاف دار را محاسبه و نحوه تغییرات آن را با پارامتر های مختلفی از جمله مغناطش، اندرکنش کولنی و گاف انرژی بررسی می کنیم. برای هامیلتونی سیستم از مدل هابارد استفاده می کنیم. در دو وضعیت رسانندگی را به دست می آوریم. یکی بدون در نظر گرفتن اندرکنش کولنی بین الکترون ها و دیگری با حضور اندرکنش کولنی بین الکترون ها. می بینیم که در حالت غیر اندرکنشی با افزایش مغناطش و گاف انرژی رسانندگی اسپینی در فرکانس ثابت افزایش می یابد. در حالت اندرکنشی نمودارهای رسانندگی برحسب فرکانس دو قله دارند که یکی از قله ها مربوط به الکترون های اسپین بالا و دیگری مربوط به الکترون های اسپین پایین است. با افزایش مغناطش قله های مربوط به الکترون های اسپین بالا به سمت فرکانس های پایین تر و قله های مربوط به الکترون های اسپین پایین به سمت فرکانس های بالا تر منتقل می شوند. با افزایش گاف انرژی و قدرت اندرکنش کولنی قله های مربوط به الکترون های اسپین بالا واسپین پایین با هم به سمت فرکانس های بالا تر انتقال می یابند.
کلیدواژه رسانش اسپینی، گرافین، مدل هابارد
آدرس دانشگاه آزاد اسلامی واحد ایلام, گروه فیزیک, ایران, دانشگاه رازی, گروه فیزیک, ایران, دانشگاه رازی, گروه فیزیک, ایران
 
   Spin conductivity of gapped graphene  
   
Authors marvi saeed ,moradian rostam ,Rezania Hamed
  
 
 

Copyright 2023
Islamic World Science Citation Center
All Rights Reserved