تاثیر میدان مغناطیسی تولید شده در برهمکنش پالس لیزری پرشدت با پلاسمای کم چگال بر شتاب بسته الکترونی در رژیم حبابی
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
عصری مهدی
|
|
منبع
|
پژوهش سيستم هاي بس ذره اي - 1397 - دوره : 8 - شماره : 17 - صفحه:77 -86
|
|
چکیده
|
دراین مقاله تاثیر میدان مغناطیسی حاصل از برهمکنش لیزر پرشدت فمتوثانیه ای با پلاسمای کم چگال در رژیم حبابی روی شتاب بسته الکترونی با توزیع یکنواخت گاوسی در سرعت و مکان مورد بررسی قرار گرفته است. دیده شد که میدان مغناطیسی می تواند انرژی نهایی بسته الکترونی را از حدود 1gevبه حدود 1.2gevافزایش دهد و پهن شدگی انرژی نهایی را کاهش دهد. همچنین واگرایی نهایی بسته الکترونی نیز در حدود یک مرتبه بزرگی کاهش یافته و برابر با 3^10×0.38 =εمیلی متر میلی رادیان شده است. علاوه براین، ما مشاهده کردیم میدان مغناطیسی باعث افزایش ده درصدی تعداد الکترونهای شتاب گرفته می شود.
|
|
کلیدواژه
|
برهمکنش لیزر پلاسما، شتاب بسته الکترونی، رژیم حبابی، میدان مغناطیسی
|
|
آدرس
|
دانشگاه گنبد کاووس, دانشکده علوم پایه, گروه فیزیک, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
mehdi.asri@gonbad.ac.ir
|
|
|
|
|
|
|