>
Fa   |   Ar   |   En
   مقایسه‎ی رشد قارچ aspergillus parasiticus و aspergillus flavus در شرایط مختلف دما، رطوبت و ph  
   
نویسنده موسویان مسلم ,درویش نیا مصطفی ,خسروی نیا حشمت اله
منبع پژوهش هاي كاربردي در گياه پزشكي - 1396 - دوره : 6 - شماره : 2 - صفحه:37 -47
چکیده    قارچ‌های aspergillus parasiticusو aspergillus flavusاز مهم‎ترین عوامل آلوده‎کننده‎ی موادغذایی و دارای قابلیت تولید توکسین های سرطان‎زا می‎باشند. آگاهی از  شرایط بهینه‎ی رشد، به کنترل و ممانعت از آلودگی و سم‎زایی این قارچ‌ها کمک ‎می‌کند. این آزمایش به منظور بررسی تاثیر دما، ph و میزان رطوبت‎بذر بر رشد این دو گونه قارچ اجرا شد. تاثیر رطوبت بذر (در سطوح 15، 18، 21، 24، 27 و 30 درصد) و دما (در سطوح 18، 22، 25، 28، 31 و 34 درجه‎ی سانتی‎گراد) در محیط‎کشت pda و تاثیر ph (در سطوح 3، 4، 5، 6 و 7) در محیط کشت pdb مورد بررسی قرار گرفت. برای مشخص کردن توکسین‎زا بودن قارچ‎ها از محیط کشت نارگیلآگار استفاده شد. میزان رشد قطری قارچ ها و وزن خشک میسلیوم قارچی در تیمارهای مختلف در 4 تکرار و در قالب طرح کاملاً تصادفی ارزیابی شد. تجزیه‌وتحلیل آماری داده‎ها با استفاده از نرم‎افزار sas 9.1 انجام شد.شرایطبهینه‎ی رشد برای a. parasiticus، دمای 31 درجه‎ی سانتی‎گراد، 5=ph  و رطوبت بذری 27 درصد و برای a. flavus دمای 28 درجه‌ی سانتی‎گراد، 6=ph  و رطوبت بذری 27 درصد تعیین گردید. همچنین این دو قارچ دارای قابلیت تولید افلاتوکسین بودند.این قارچ‎ها در مناطق گرمسیری و نیمه‎گرمسیری رشد مطلوبی دارند و کاهش رطوبت بذر و دماهای پایین و خنک در انبار می‎تواند در جلوگیری از رشد قارچ نقش موثری داشته باشد. با توجه به تولید افلاتوکسین توسط این دو قارچ می‎توان با رعایت بهداشت و کنترل عوامل محیطی از تولید این توکسین‎ها جلوگیری به‎عمل آورد.
کلیدواژه آسپرژیلوس، آفلاتوکسین، اسیدیته، دما، رطوبت
آدرس دانشگاه لرستان, دانشکده کشاورزی, ایران, دانشگاه لرستان, دانشکده کشاورزی, گروه گیاه‎پزشکی, ایران, دانشگاه لرستان, دانشکده کشاورزی, گروه علوم دامی, ایران
 
   Comparison of Growth of Aspergillus flavus and Aspergillus parasiticus in Different Conditions of Temperature, Moisture and pH  
   
Authors Moosavian sied moslem ,darvishnia mostafa ,Khosravinia Heshmatolla
  
 
 

Copyright 2023
Islamic World Science Citation Center
All Rights Reserved