ترکیب روش شبکه بولتزمن و تاگوچی جهت بهینه سازی اثر میدان مغناطیسی بر روی همرفت طبیعی نانوسیال در محفظه نیم دایره ای
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
علی نژاد جواد ,ابوالفضلی اصفهانی جواد
|
|
منبع
|
مكانيك سيالات و آيروديناميك - 1396 - دوره : 6 - شماره : 2 - صفحه:45 -59
|
|
چکیده
|
در این مقاله اثر میدان مغناطیسی بر روی جریان همرفت طبیعی نانو سیال در یک محفظه نیمدایرهای با حضور منبع حرارتی شبیه سازی شده است. ابتدا انتقال حرارت همرفت طبیعی در یک محفظه ساده با یک دیوار گرم و یک دیوار سرد تحت تاثیر میدان مغناطیسی به کمک روش شبکه بولتزمن شبیه سازی شده و نتایج بدست آمده با داده های قبلی مقایسه شده است. در ادامه پارامتر های تاثیرگذار دیگری از قبیل هندسه منبع حرارتی، زاویه میدان مغناطیسی و درصد حجمی نانوسیال بر چگونگی نرخ انتقال حرارت مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. بدین منظور نتایجی از قبیل خطوط جریان و خطوط همدما ارائه شده است. در نهایت با استفاده از روش تاگوچی پارامترهای تاثیرگذار و سطوح آنها شناسایی و از بین تعداد حالات ممکن، حالت بهینه برای شبیهسازی تعیین شدهاست. سرانجام با استفاده از آنالیز آماری این روش شرایط بهینه پیش بینی و تایید شده است.
|
|
کلیدواژه
|
روش تاگوچی، روش شبکه بولتزمن، همرفت طبیعی، میدان مغناطیسی
|
|
آدرس
|
دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساری, گروه مهندسی مکانیک, ایران, دانشگاه فردوسی مشهد, دانشکده مهندسی مکانیک, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
abolfazl@um.ac.ir
|
|
|
|
|
|
|