ارایه یک ساختار جدید برای اینورتر شبه منبع امپدانسی مبتنی بر سلف‌های کلیدزنی شده و ترانسفورماتور

در این مقاله، ساختار جدید‌ی برای اینورتر‌های شبه منبع امپدانسی بر اساس ترکیب سلول سلف‌های کلیدزنی شده و ترانسفورماتور پیشنهاد می‌شود. در ساختار پیشنهادی، می‌توان با تغییر در نسبت دور ترانسفورماتور، افزایش تعداد سلول‌های سلف‌ کلیدزنی شده و تغییر چرخه‌ی کاری shoot-through (st) به بهره‌های ولتاژ بسیار بزرگ دست یافت. اصول عمل‌کرد و محاسبات مربوط به بهره‌ی ولتاژ و مقدار متوسط ولتاژ دو سر خازن‌ها برای ساختار پیشنهادی ارایه می‌شود. تلفات ساختار پیشنهادی محاسبه و راندمان ساختار پیشنهادی با راندمان ساختار‌های دیگر مقایسه شده است. هم‌ چنین برای مشخص شدن مزایا و معایب ساختار پیشنهادی، این ساختار با ساختار‌های مرسوم به صورت جامع مقایسه می‌شود. برای اثبات صحت عمل‌کرد مبدل پیشنهادی از نتایج شبیه‌سازی کامپیوتری در محیط نرم‌افزار pscad/emtdc استفاده می‌شود