اکسید گرافن کربوکسیله به‌عنوان لایۀ تزریق‌کنندۀ حفرۀ موثر در دیود نورگسیل پلیمری

در این مقاله، دیود نورگسیل پلیمری (pled) با پیکربندی glass/ito/gocooh/mehppv/al ساخته شد. ابتدا لایۀ نازک ایندیوم قلع اکسید (ito) بر روی زیرلایه های شیشه ای، به روش کندوپاش فرکانس رادیویی (rf) لایه نشانی و سپس تاثیر اکسید گرافن کربوکسیلۀ (gocooh) سنتزی به عنوان لایۀ تزریق کنندۀ حفره (hil) بر روی عملکرد pled ساخته شده با پلی (2 متوکسی 5 (ʹ2 اتیل هگزیلوکسی)1، 4 فنیلن وینیلن) (mehppv) بررسی شد. همچنین خواص الکتریکی و نوری الکترود شفاف ito اندازه گیری شد. درنهایت، عملکرد دیود ساخته شده بررسی گردید و با pled ساخته شده با پلی (3، 4 اتیلن دی اکسی تیوفن): پلی (استایرن سولفونات) (pedot:pss) به عنوان hil موردمقایسه قرار گرفت. به منظور تخمین ارتفاع سد پتانسیل تزریق حفرۀ (j) pleds ساخته شده، از مدل تونل زنی فاولر نوردهایم (fn) استفاده شد. نتایج نشان می دهد که gocooh تزریق حفره در داخل ساختار pled را بهبود داده و سبب کاهش ولتاژ روشن شدن قطعه می شود. بنابراین، gocooh می تواند به عنوان یک hil مناسب در pleds و همچنین سایر افزاره های میکرو و نانوالکترونیکی استفاده شود.