بررسی نقص در بلورهای فوتونیکی یک بعدی

بلورهای فوتونیکی، مواد دی‌الکتریکِ مصنوعی با ضریبِ شکستِ تناوبی هستند که ویژگی های الکترومغناطیسی جدیدی دارند. این بلورها نشان داده اند که نتیجه پراکندگی براگ در یک ساختارِ دی‌الکتریکِ متناوب، پاسخی به شکلِ گافِ باندِ فوتونیکی است. این گاف‌ها از حضورِ فوتون‌ها در یک دامنه انرژی معیّن جلوگیری به عمل می آورند. وقتی تناوبِ شبکه با وارد کردن یک نقص به درونِ بلورِ فوتونیکی شکسته می‌شود، یک مُد نقصِ جایگزیده در محدوده گافِ نواری فوتونیکی ظاهر می‌شود که منجر به تغییر در رفتارِ تداخلی نور می‌شود. این تغییرات با ماهیّت و نوعِ نقص تعیین می‌شود.