بررسی مُدهای فونون‌های اپتیکی در یک نانوساختارِ نیمه رسانا

به کمکِ تقریبِ دی الکتریکِ پیوسته، مدهای فونون‌های اپتیکی حاصل از فصلِ مشترکِ یک سیمِ کوانتومی استوانه‌ای از جنس gaas در یک محیطِ نیمه رسانای قطبی gaxal1-xas بررسی شده است. نتایج به دست آمده دو شاخه متفاوت (so1, so2) از مدهای فونونی سطحی را نشان می‌دهند. با افزایشِ بردارِ موج ( )، بسامدِ هر یک از مدهای فونونی به بسامدِ یک ساختارِ صفحه ای تخت نا متجانس همگرا می‌شود.