|
|
بررسی ویژگیهای الکترونی و ترابردی نانونوارهای آرمیچر و زیگزاگ β12
|
|
|
|
|
نویسنده
|
حیدری موغاری محمدرضا ,فرقدان روح اله
|
منبع
|
فيزيك كاربردي ايران - 1402 - دوره : 13 - شماره : 33 - صفحه:31 -45
|
چکیده
|
ویژگی های الکترونی و ترابردی نانونوارهای زیگزاگ و آرمیچر بوروفن (β12) با لبههای هندسی مختلف، با استفاده از الگوی تنگبست چند نواری و فرمولبندی لاندائور بوتیکر و انطباق مد مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان میدهد که نانونوارهای مختلف با توجه به هندسه لبه، رفتار الکترونی متفاوتی از فاز فلزی تا نیمهرسانایی نشان داده و تحت اثر گرادیان دما و یا اختلاف پتانسیل جریانهایی از مرتبه نانوآمپر تا میکروآمپر، بیشتر با رفتار اهمی، ایجاد میکنند. همچنین نقصهای تهی جای با تغییر اندازه شکاف انرژی میتوانند سبب تغییر فاز از فلزی به نیمه رسانایی و یا از نیمهرسانایی به فلزی بسته به نوع لبه نانونوار شوند. همچنین نقصهای تهیجای میتوانند مقادیر جریانهای الکتریکی را کنترل نمایند. در پایان، هندسه و شکل لبهها، مهندسی نقص، و اعمال ولتاژ و یا گرادیانهای گرمایی میتواند با کنترل ویژگی های الکترونی و ترابردی نانوارهای بوروفن را به گزینه مناسبی به منظور کاربرد در نانو قطعات الکترونیکی تبدیل نماید.
|
کلیدواژه
|
نانو نوارهای بوروفن، الگوی تنگبست، ترابرد الکتریکی، ویژگیهای ترموالکتریکی، نقص تهیجای
|
آدرس
|
دانشگاه کاشان, گروه فیزیک, ایران, دانشگاه کاشان, گروه فیزیک, ایران
|
پست الکترونیکی
|
rfarghadan@kashanu.ac.ir
|
|
|
|
|
|
|
|
|
researach paper: investigation of electronic and transport properties of armchair and zigzag β_12 borophene nanoribbon
|
|
|
Authors
|
heidari moghari mohammad reza ,farghadan rouhollah
|
Abstract
|
the electronic and transport properties of the zigzag and armchair borophene nanoribbons β12 with different edge geometries using the multi-band tight-binding model and landauer butticker formalism were investigated by the mode matching model. our results show that nanoribbons with different edge geometries show different electronic behaviors from metal phase to semiconductor according to and under thermal gradient or voltage poetical produce electrical current from nano ampere to microampere (most of them have ohmic behavior). also, vacancy defects with controlling energy gaps could change the phase from metal to semiconductor or from semiconductor to metal in different edge geometries. moreover, vacancy defects could control the values of electrical currents. finally, the edge geometries; and defect engineering with application thermal gradient or electrostatic potential could control the electronic and transport properties and convert borophene nanoribbons into a good candidate for application in nano-electronic devices.
|
Keywords
|
borophene nanoribbons ,tight-binding model ,electrical transport ,thermoelectric properties ,vacancy defects
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|