محاسبۀساختار الکترونی و نوارهای انرژیinp در حالت نانو سیم وانبوهه به روش شبه پتانسیل

در این مقاله ویژگی ‌های الکترونی و ساختاری از جمله ثابت های شبکه، ساختار نوارهای انرژی و چگالی حالت‌های در حالت انبوهه و نانوسیم محاسبه و مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از روش شبه‌پتانسیل در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی (dft) و با استفاده از نرم افزار کوانتوم اسپرسو با تقریب های چگالی موضعی (lda) و تقریب گرادیان تعمیم یافته (gga) صورت گرفته است. نتایج به دست آمده نشان می دهد که نوارهای انرژی سطح فرمی را قطع نکرده و دارای یک شکاف انرژی به اندازۀ 1.4 الکترون ولت در نقطه γ در منطقه بریلوین می‌ باشد که سازگاری خوبی با نتایج تجربی دارد. همچنین شکاف نواری در حالت نانوسیم ‌ها حدود 1.49 الکترون ولت به دست آمد که نسبت به شکاف نواری در حالت انبوهه افزایش یافته است. در نهایت، پارامترهای محاسبه شده سازگاری خوبی با دیگر نتایج دارد.

Calculation of Electronic Structure and Energy band of InP in Nanowire and Bulk and Using Pseudopotential

In this paper, electronic and structural properties such as lattice constant, energy band structure, and density of states of InP in bulk and nanowire are calculated. The calculations have been performed using the Pseudopotential method in the framework of density functional theory (DFT) with local density approximation (LDA), and generalized gradient approximation (GGA) by Quantum Espresso package. The results show a direct bandgap of 1.4 eV at the Γ point in the Brillouin zone and have not cut the Fermi level, with a good agreement with the available experimental results. Also, band structure in nanowires of about 1.49 eV was calculated, which shows an increased bulk state. The calculated results show good agreement with the available experimental results.