مطالعه ویژگی های الکتریکی نانوکامپوزیت های هیبریدی nio/pvcبه عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستور

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی cmosبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا به عنوان جایگزین مناسب برای گیت دی الکتریکترانزیستورهای اثر میدانی آلی پیشنهاد شده اند خواص نانوساختاری و الکتریکی نانوکامپوزیت هیبریدی پلی وینیلکلرید و اکسید نیکل را با مقادیر مختلف از ماده ی آلی، دردمای ] 1 [ . اخیرا_ غیر آلی، شامل اکسید های فلزی،] 2 4 .[ در این مقاله08 درجه سانتی گراد، به روش سل ژل، سنتز نمودیم. در این –آزمایش ها، نسبت درصد وزنی ماده ی آلی به اکسید نیکل 10588 و 10258و 10125 بوده است )در تمام مقاله غلظت ها به ترتیب با علامت های i ،ii ویژگی های نانوساختاری نمونه ها را با تکنیک های پراش اشعه یایکس نیروی اتمیهایی از نانوپودرهیبریدی با استفاده از دستگاه ، iii نشان داده شده اند.() xrd (، طیف سنجی مادون قرمزتبدیل فوریه) ftir ( و میکروسکوپ) afm ( بررسی نمودیم. برای توصیف خواص الکتریکی، قرصnio/pvc تهیه و به محاسبه ی ظرفیت خازنgps 132 a پرداخته و ثا بت دی الکتریک آن ها2را محاسبه کردیم. با استفاده از تحلیل داده های تجربی و را بطهپل فرانکل که میزان جریان نشتی را بر حسب ثابت دی الکتریک تعیین می کند، دریافتیم که نمونه دمای بالاتر، چینش سطحی ذرات بهتر و همچنین زبری سطح کمتر و در نتیجهدارای جریان نشتی کمتر می باشد. از این رو می تواند به عنوان یکماده ی دی الکتریک مناسب برای ادوات آتی ترانزیستور اثر میدانیآلی nio/pvc با درصد وزنی 10258 که در08 درجه سانتی گراد سنتز شده است دارای ثابت دی الکتریک(ofet) معرفی گردد.

Synthesis and study of electrical properties NiO/PVC nanohybride composites as a gate dielectric for OFET transistor

In this paper the NiO/PVC nanohybride composites with different concentration of organic matter have been synthesized with solgel method in the 80°C. Nanocrystallites phases, crystallinity and electrical properties were characterized with using Xray diffraction (XRD), Fourier transfer infrared radiation (FTIR) and Atomic force microscopy (AFM) techniques. Electrical property characterization was also performed with prepared a wafer of NiO/PVC nanopowder and calculated the dielectric constant by application of GPS 132 A. The obtained3results indicated that the NiO/PVC sample with weight rate 1:250 has higher dielectric constant, better morphology, less roughness surface, less leakage current, and can be used as a good gate dielectric for the future of OFET (Organic Field Effect Transistor) devices.