|
|
|
|
تونل زنی فوتونی در بلورهای فوتونیکی متا مواد تک منفی
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
مرعشی نسب اله کرم ,نامدار عبدالرحمن ,روشن انتظار صمد
|
|
منبع
|
فيزيك كاربردي ايران - 1391 - شماره : 2 - صفحه:77 -96
|
|
چکیده
|
در این مقاله ما تونل زنی فوتونی را از طریق ساختارftirبررسی میکنیم ساختارftirشامل بلورهای فوتونیکی مواد تک منفی یک بعدی است که بوسیله تکرار دوره ای و تناوبی از لایه هایو pimnim تشکیل شده است. ما یک دوره از لایه های مواد با ضریب شکست مثبت ومواد با ضریب شکست منفی را همانند یک ساختار در نظر می گیریم.وتونل زنی را برای این حالت بررسی میکنیم. سپس ما تغییرات بعد ازتونل زنی را بیشتر تحلیل می کنیم و زمان تاخیر گروهی را از طریقساختارهای متفاوت بدست می آوریم
|
|
کلیدواژه
|
تونل زنی فوتونی، تغییرات فاز و جابجایی، بلورهای فوتونی
|
|
آدرس
|
دانشگاه شهید مدنی تبریز, گروه فیزیک, ایران, دانشگاه تبریز, گروه فیزیک, ایران, دانشگاه تبریز, گروه فیزیک, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Photon tunneling in singlenegative metamaterials onedimensional photonic crystals
|
|
|
|
|
Authors
|
Maraashinasab Allahkaram ,Namdar Abdorahman ,Roshan entezar Samad
|
|
Abstract
|
In this paper, we investigate the photon tunneling through metamaterial photonic crystals by using the transfer matrix method. We start with a singleperiod barrier for various periodic barrier of one positive index material (PIM) and negative index material (NIM) layer and calculate transmittance and group delay time through the barrier for various frequencies of incident wave and the posttunneling position shifts in the direction normal to the layers, which deepened on the effective refractive index of the barrier. Then we extend to the barrier of a 2Nlayer photonic crystal and find that the transmittance varies with layer number.
|
|
Keywords
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|