بررسی تاثیر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت جابجایی ترکیبی نانوسیال درون محفظه k شکل با استفاده از روش شبکه بولتزمن
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
رحمتی احمدرضا ,نعمتی محمد
|
|
منبع
|
مكانيك سازه ها و شاره ها - 1397 - دوره : 8 - شماره : 1 - صفحه:111 -126
|
|
چکیده
|
در کار حاضر، برای اولین بار، انتقال حرارت جابجایی ترکیبی نانوسیال درون محفظه k شکل در حضور میدان مغناطیسی با استفاده از روش شبکه بولتزمن شبیه‌سازی شده است. دیواره‌های سمت راست و چپ محفظه در دمای ثابت سرد قرار دارند. دیواره افقی پایینی محفظه در دمای ثابت گرم است. دما روی دیواره افقی بالایی محفظه بصورت خطی تغییر می کند. در شبیه‌سازی صورت گرفته میدان جریان و دما با حل همزمان توابع توزیع جریان و دما محاسبه شده است. تاثیر پارامترهای مختلفی چون عدد رینولدز (50-200)، عدد هارتمن (60-0)، نسبت ابعاد محفظه (0/4-1) و کسر حجمی نانوذرات (0/05-0) بر روی انتقال حرارت جابجایی ترکیبی بررسی شده است. نتایج نشان می‌دهد با ثابت ماندن تمامی پارامترها، افزایش نسبت ابعاد محفظه و عدد رینولدز سبب افزایش انتقال حرارت می‌شود. بعلاوه در یک عدد رینولدز و نسبت ابعاد ثابت، افزایش عدد هارتمن باعث کاهش سرعت جریان درون محفظه و انتقال حرارت می‌شود. همچنین تغییر کسر حجمی نانوسیال بر روی انتقال حرارت تاثیرگذار بود.
|
|
کلیدواژه
|
روش شبکه بولتزمن، جابجایی ترکیبی، نانوسیال، میدان مغناطیسی، محفظه k شکل
|
|
آدرس
|
دانشگاه کاشان, دانشکده مهندسی مکانیک, ایران, دانشگاه کاشان, دانشکده مهندسی مکانیک, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|