|
|
طراحی تقویتکننده کمنویز تفاضلی بدون سلف با افزایشدهنده gm فعال و غیرفعال برای رادیوشناختی
|
|
|
|
|
نویسنده
|
چقایی جواد ,جلالی علی ,مظلوم جلیل
|
منبع
|
مهندسي برق دانشگاه تبريز - 1399 - دوره : 50 - شماره : 1 - صفحه:75 -85
|
چکیده
|
انتظارها از رادیوشناختی آن است که بتواند با پوشش بخش وسیعی از طیف فرکانسی با استفاده از حسگری طیفی و شناسایی کانالهای موجود، ارتباطی فرصتطلبانه را برقرارسازد. در این مقاله با شروع در مسیر دریافت سیگنال، تقویتکننده کمنویز پهنباند تفاضلی و بدون سلفی پیشنهاد شدهاست که بهجهت استفاده از ساختار اشتراک جریان مکمل و تکنیک افزایشدهنده فعال و غیرفعال، منجربه افزایش بهره ولتاژ، کاهش توان مصرفی و نویز میشود. ازاینرو، تقویتکننده کمنویز پیشنهادی دارای پهنای باند 50mhz-1/7ghz با کمتر 14/26db- از ، بیشترین بهره ولتاژ 20/2db، کمترین عدد نویز 3/31dbبا مصرف فقط 1/82ma از ولتاژ تغذیه 1/8v در فناوری tsmc %18umcmosمیباشد. همچنین شبیهسازیها با استفاده از شبیهساز spectre rf انجام شدهاست.
|
کلیدواژه
|
رادیوشناختی، تقویت کننده کم نویز پهن باند، بدون سلف، افزایش دهنده gm فعال، افزایشدهنده gm غیرفعال، اشتراک جریان، مکمل، مصرف توان کم
|
آدرس
|
دانشگاه شهید بهشتی, دانشکده مهندسی برق, ایران, دانشگاه شهید بهشتی, دانشکده مهندسی برق, ایران, دانشگاه علوم و فنون هوایی شهید ستاری, دانشکده مهندسی برق, ایران
|
پست الکترونیکی
|
j_mazloum@sbu.ac.ir
|
|
|
|
|
|
|
|
|
An Inductorless Differential LNA with Active and Passive Enhancement for Cognitive Radio
|
|
|
Authors
|
جلالی علی
|
Abstract
|
Cognitive radios are expected to opportunisticly communicate with covering a wide range of the frequency spectrum by continously sensing the spectrum and identifying available channels. In this paper, we introduced an inductorless and differential wideband LNA, which uses the complementary currentreuse structure and active and passive enhancement technique, which leads to increase voltage gain, reduction in power consumption and noise, in the signal receiving path. Therefore, the proposed LNA is able to achieve 50 MHz – 1.7 GHz bandwidth with less than 14.26 dB, maximum voltage gain of 20.2 dB, minimum NF of 3.31 dB, while consuming only 1.82 mA from a supply voltage of 1.8 V to TSMC 0.18 µm CMOS technology. Also, simulations are performed using Spectre RF simulator.
|
Keywords
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|