|
|
دیپلکسر با رزوناتورهای حلقوی مکمل شکافدار به شکلs خمشده در کاربردهای lte
|
|
|
|
|
نویسنده
|
محمدی پژمان ,بنی هاشم علی
|
منبع
|
مهندسي برق دانشگاه تبريز - 1398 - دوره : 49 - شماره : 2 - صفحه:859 -864
|
چکیده
|
در این مقاله ساختار جدیدی از یک دیپلکسر با استفاده از تکنولوژی موجبرمجتمعشده (siw) و رزوناتور حلقوی مکمل شکافدار برای کاربردهای lte در فرکانس های 1.3 گیگاهرتز و2.1 گیگاهرتز طراحی شده است. این دیپلکسر فشردهشده, توسط رزوناتور حلقوی s شکل در یک ساختار موجبری ارائه شده است. در این طرح ابتدا فیلترهای متناظر با هریک از باندها در شبیهساز طراحی و سپس با استفاده از پارامترهای پراکندگی هر یک از فیلترها ساختار t شکل در ورودی دیپلکسر بهینهسازی شد. با توجه به نتایج اندازهگیری دیپلکسر ساختهشده دهانههای ورودی و خروجی تطبیق امپدانسی مناسبی در باندهای مورد نظر دارند و تلفات انتقالی در فرکانس های1.3 گیگاهرتز و2.1 گیگاهرتز بهترتیب حدود 1 دسیبل و 2 دسیبل است. مقدار ایزولاسیون بین دهانههای خروجی بیش از30 دسیبل است. نهایتا ساختار پیشنهادی کارایی بسیار مطلوبی را منعکس میکند. این ساختار مزیتهایی را مانند ابعاد کوچک ، تلفات پایین ، ایزولاسیون بالا ، ساخت آسان و قابلیت مجتمعسازیشدن با دیگر مدارات مسطح را دارد.
|
کلیدواژه
|
دیپلکسر، ریزنوار، موجبر مجتمعشده، رزوناتورهای حلقوی مکمل
|
آدرس
|
دانشگاه آزاد اسلامی واحد ارومیه, گروه مهندسی برق, ایران, دانشگاه آزاد اسلامی واحد ارومیه, گروه مهندسی برق, ایران
|
پست الکترونیکی
|
ali_banihashem@yahoo.com
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Diplexer Embedded with Crisped S-shaped Complementary Split Ring Resonators for LTE Band Application
|
|
|
Authors
|
Mohammadi P. ,Banihashem A.
|
Abstract
|
In this paper, a novel structure of diplexer is designed based on Substrate Integrated Wave guide (SIW) technology and Sshaped complementary split ring resonator to operate in LTE1.3 GHz 2.1 GHz band. A miniaturized and compact SIW diplexer implemented by Crisped Sshaped Complementary Split Ring operated in a waveguide format is proposed and presented. In design process, firstly, the filters corresponding to each of the bands is designed in simulator, then by using Sparameter of each filter the Tshaped structure dimensions of the input feeding diplexer is achieved and optimized. It is deduced from measurement results of diplexer that input and output impedance matching in the respective bands, transmission losses are1dB and 2dB for 1.3 GHz and 2.1 GHz respectively. The isolation between output ports is better than 30dB. Finally the proposed structure reflects the performance is highly desirable. This structure illustrates advantages in terms of the small size, low loss, high isolation, easy realization and integration with other planar circuits.
|
Keywords
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|