طراحی ساختاری از ترانزیستور ماسفت دوگیتی با به‌کارگیری دو ماده، اکسید هافنیم (hfo2) و سیلیسیم-ژرمانیوم (sige) در کانالی از جنس سیلیسیم (dm-dg)
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
نجفعلی‌زاده حامد ,اروجی علی‌اصغر
|
|
منبع
|
مهندسي برق دانشگاه تبريز - 1396 - دوره : 47 - شماره : 1 - صفحه:299 -304
|
|
چکیده
|
در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور dm-dg ارائه‌شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق hfo2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین‌طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (cdg) شده است. ناحیه عایق hfo2 به‌طور قابل‌توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می‌دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختار ارائه‌شده نسبت به ساختار دوگیتی معمولی به دلیل کاهش اثر حامل‌های داغ (hce) و همین‌طور اثر کاهش سد پتانسیل به دلیل درین (dibl) پایین‌تر است. از طرفی برای این‌که تجمع حفره‌های اضافی را از سطح کانال دور کرده و باعث کاهش اثر بدنه شناور (fbe) و ترانزیستورهای bjt پارازیتیک در ساختار شویم، از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس استفاده می‌کنیم. نتایج شبیه‌سازی دوبعدی با نرم‌افزار شبیه‌ساز atlas نشان داده‌شده و به دلیل کوچک بودن طول ناحیه کانال (20 nm) از مدل کوانتومی استفاده شده است.
|
|
کلیدواژه
|
ماسفت دوگیتی، اثر کانال کوتاه، عایق hfo2، سیلیسیم-ژرمانیوم
|
|
آدرس
|
دانشگاه سمنان, دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر, ایران, دانشگاه سمنان, دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
aliaorouji@semnan.ac.ir
|
|
|
|
|
|
|