ترانزیستور اثر میدان فلز-نیمه هادی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق با استفاده از یک تکه اکسید اضافی در کانال برای کاربردهای توان و فرکانس بالا

در این مقاله یک ساختار جدید از ترانزیستور اثر میدانی فلز نیمه هادی در تکنولوژی soiمعرفی می شود که مشخصات  dcو فرکانسی بهتری نسبت به ساختارهای متداول دارد. ایده اصلی مقاله بر مبنی تغییر چگالی حامل ها توسط یک تکه اکسید اضافی چسبیده به لایه مدفون اکسید در سمت درین است. بهبود عملکرد قطعه توسط شبیه ساز دوبعدی بررسی می شود. در ساختار پیشنهادی ولتاژ شکست از v13 در ساختار  متداول به v19 در ساختار جدید افزایش یافته و بهبودی حدود 47% داشته است لذا توان ماکزیمم ساختار از w/mm 0/19 به w/mm 0/25  بهبود یافته است. همچنین به دلیل کاهش خازن گیتدرین و خازن گیتسورس مشخصه های فرکانسی ازجمله فرکانس قطع و ماکزیمم فرکانس نوسان و نویز بهبود یافته است. نتایج نشان می دهد که ساختار پیشنهادی مشخصه های توان و فرکانسی بهتری نسبت به ساختار متداول ترانزیستورهای اثر میدانی فلزنیمه هادی در تکنولوژی soi را دارا است.