مدل تحلیلی پتانسیل و ولتاژ آستانه ترانزیستور ماسفت دوگیتی با گیت دوماده‌ای بدون آلایش
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
هاشمی سید امیر
|
|
منبع
|
مهندسي برق دانشگاه تبريز - 1396 - دوره : 47 - شماره : 4 - صفحه:1759 -1769
|
|
چکیده
|
در این مقاله، مدل تحلیلی دوبعدی برای پتانسیل الکتریکی ترانزیستور ماسفت دوگیتی با گیت دوماده‌ای بدون آلایش ارائه شده است که قابل اعمال به ساختارهای متقارن و نامتقارن می‌باشد. پتانسیل دوبعدی با مجموع مولفه پتانسیل یک‌بعدی کانال بلند در امتداد طول کانال و مولفه تغییرات دوبعدی کانال کوتاه بیان شده است. مولفه یک‌بعدی به طول debye ذاتی وابسته است و به‌صورت تحلیلی از حل معادله یک‌بعدی پواسون استخراج می‌شود. مولفه دوبعدی بر اساس روش جداسازی متغیرها به‌دست می‌آید. برخلاف مدل‌های موجود که برای محاسبه پاسخ دوبعدی از حل عددی مولفه کانال بلند استفاده می‌کنند، مدل پیشنهای به‌صورت تحلیلی ارائه شده است. سپس، برای یک ترانزیستور متقارن، با استفاده از مفهوم کاتد مجازی و پتانسیل دوبعدی به‌دست آمده، روابط تحلیلی فرم بسته برای ولتاژ آستانه، کاهش سد پتانسیل با القای درین و تغییرات ولتاژ آستانه استخراج شده است. مدل پیشنهادی در هر نقطه از کانال معتبر است و بر اساس آن می‌توان تاثیر پارامترهای فیزیکی ترانزیستور را بر روی مشخصه‌های الکتریکی آن بررسی کرد. تطبیق مناسب بین نتایج حاصل از مدل و نتایج شبیه‌سازی عددی با نرم‌افزار، دقت مناسب مدل پیشنهادی را نشان می‌دهد.
|
|
کلیدواژه
|
اثرات کانال کوتاه، ترانزیستور ماسفت دوگیتی با گیت دوماده‌ای، کاهش سد پتانسیل با القای درین، معادله پواسون، ولتاژ آستانه
|
|
آدرس
|
دانشگاه شهرکرد, دانشکده فنی و مهندسی, گروه مهندسی برق, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
ahashemi@aut.ac.ir
|
|
|
|
|
|
|