ارائه ساختار نوین ترانزیستور اثر میدان سیلیسیم روی عایق دو گیتی با پنجره اکسید در درین گسترده شده به‌منظور کاربرد در تکنولوژی نانو

ترانزیستورهای اثر میدان فلزاکسیدنیمه‌هادی (mosfet (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (soi) به‌طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می‌روند. بنابراین، دست‌یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می‌آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می‌گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلیسیم در ناحیه گستردگی درین بین درین و کانال و فصل مشترک اکسید گیت پشتی قرار گرفته است. این ساختار جدید (owdg (oxide window double gate نامیده می‌شود. شبیه‌سازی‌های انجام شده توسط شبیه‌ساز atlas نشان می‌دهد که ترانزیستور جدید، جریان حالت خاموش، خازن‌های پارازیتی و دمای الکترون را در مقایسه با ساختار متداول به‌طور چشم‌گیری کاهش می‌دهد.

A Novel Double Gate SOI MOSFET by Considering a SiO2 Window in Extended Drain Region for Applying in Nano Technology

Metal Oxide Semiconductor Field effect Transistor (MOSFET) with Silicon On Insulator (SOI) technology are widely applied in integrated circuits. So, achieving very small scale SOI MOSFET is an important need for developing electronic industry. In this work, a new double gate SOI MOSFET in nano scale is proposed where a SiO2 window is considered in extended drain region between channel, drain and interface of oxide and back gate. The new structure is called OWDG. The simulation with ATLAS simulator shows that the new transistor reduces offcurrent, parasitic capacitances and electron temperature, significantly.