|
|
تحلیل اثر پارازیتی عناصر بر عملکرد نوسانگر تزویج ضربدری در محدوده باند میلیمتری
|
|
|
|
|
نویسنده
|
بستانی رضا ,یاوند حسنی جواد
|
منبع
|
مهندسي برق دانشگاه تبريز - 1396 - دوره : 47 - شماره : 3 - صفحه:867 -875
|
چکیده
|
در این مقاله نوسانگر lc با تزویج ضربدری در فرکانسهای باند میلیمتری تحلیل شده است. با استفاده از دیدگاه مقاومت منفی و استفاده از مدل دوقطبی برای المانها، روابط دقیقی برای فرکانس و شرط نوسان ارائه شده است. روابط جدید ارائهشده اثر مخرب پارازیتی المانها و بهخصوص rg و cgd بر رفتار نوسانساز در فرکانسهای بالاتر را بهخوبی نشان داده و مشخص میکنند که در فرکانسهای بالا، شرط نوسان تابع از فرکانس نوسان است. ملاحظه میشود که وجود مقاومت سری گیت باعث از بین رفتن شرط لازم نوسان در فرکانسهای بالا میشود. در ادامه کمینه مقدار سلف برای داشتن بیشینه نوسان در نوسانگر تعیین خواهد شد. تحلیلهای ارائهشده در تکنولوژی tsmc 0.18um rf با استفاده از نرمافزار ads تصدیق شده است.
|
کلیدواژه
|
مقاومت گیت، بیشینه فرکانس نوسان، نوسانگر تزویج ضربدری، نوسانگرهای هارمونیک اصلی، نوسانگرهای هارمونیکی
|
آدرس
|
دانشگاه علم و صنعت ایران, دانشکده مهندسی برق, ایران, دانشگاه علم و صنعت ایران, دانشکده مهندسی برق, ایران
|
پست الکترونیکی
|
yavand@iust.ac.ir
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Analysis of the Effects of Elements Parasite on CrossCoupled Oscillator in Millimeter Wave Band
|
|
|
Authors
|
Bostani R. ,Yavand Hasani J.
|
Abstract
|
In this paper, a cross coupled LC oscillator is analyzed in millimeter wave band. By using the negative resistance method and two port model for the elements, more accurate formula is obtained for calculation of the oscillation frequency and the oscillation startup condition. The new developed equations demonstrate the effects of parasitic elements, especially RG and CGD, on the oscillator behavior in millimeter wave band, which leads to dependency of the oscillation condition to the oscillation frequency. The presented equation shows that the RG prevents the oscillation at high frequencies. Furthermore, minimum value of the inductor used in the oscillator is determined for maximum oscillation frequency. The presented equations are verified by simulations using Advanced Design System (ADS) and the foundry design kit for TSMC 0.18 um RFCMOS technology.
|
Keywords
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|