انسداد میدان الکتریکی جانبی از نواحی درین و سورس جهت بهبود اثرات کانال کوتاه در افزاره nano-soi
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
انوری فرد محمدکاظم
|
|
منبع
|
مهندسي برق دانشگاه تبريز - 1397 - دوره : 48 - شماره : 3 - صفحه:991 -998
|
|
چکیده
|
در این مقاله روشی جدید برای بهبود اثرات کانال کوتاه بدون پیچیدگی در فرآیند ساخت افزاره‌های سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو ارائه شده است. فکر اساسی در این مقاله تحقق اکسید u شکل با استفاده از ماده si3n4 در داخل اکسید مدفون و ناحیه کانال است. مسیر میدان الکتریکی جانبی از سمت درین و سورس پس از برخورد به اکسید تعبیه شده منحرف شده و مقدار کمتری از خطوط میدان الکتریکی توانایی کافی برای عبور از اکسید و رسیدن به ناحیه کانال را پیدا می‌کنند. افزایش رسانش موثر حرارتی ساختار پیشنهادی توانایی مضاعفی به ساختار جدید جهت کار در دماهای بالاتر می‌دهد. مقایسه ساختار ارائه شده با افزاره مرسوم نشان می‌دهد که پارامترهای مهمی همچون اثرات کانال کوتاه، دمای شبکه، میدان الکتریکی، تحرک پذیری الکترون، کندوکتانس درین و جریان نشتی به‌طور موثری بهبود یافته است که نمایانگر برتری ساختار پیشنهادی است. ساختارهای تحت مطالعه در این مقاله با استفاده از نرم‌افزار atlas که خود یکی از محصولات تجاری silvaco است شبیه‌سازی شده است.
|
|
کلیدواژه
|
مقیاس نانو، نیتراید سیلیسیم، اثرات کانال کوتاه، میدان الکتریکی
|
|
آدرس
|
دانشگاه گیلان, دانشکده فنی و مهندسی شرق گیلان, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
m.anvarifard@guilan.ac.ir
|
|
|
|
|
|
|