ترانزیستور ماسفت سه‌گیتی با استفاده از دیود تونل‌زنی سیلیسیم-ژرمانیم برای بهبود اثر بدنه شناور

در این مقاله ساختار جدیدی برای ترانزیستور سه‌گیتی (sg-td) ارائه شده است. در این ساختار با به کار بردن سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس و ایجاد تونل‌زنی به درون ناحیه سورس، مشخصه‌های ماسفت سه‌گیتی در مقایسه با ساختار ماسفت‌های سه‌گیتی مرسوم (c-tg) بهبود داده شده است. در ساختار پیشنهادی علاوه بر اینکه عایق بودن ترانزیستور در زیر کانال حفظ می‌شود، اثرات منفی آن نیز کاهش می‌یابد. در ساختار ارائه  شده برای جلوگیری از تجمع حفره‌ها درون سطح کانال از سیلیسیم-ژرمانیوم استفاده شده است. این کار باعث کاهش اثر بدنه شناور (fbe)، اثر خودگرمایی (she) و جریان چگالی حفره‌ها در ماسفت‌های سه‌گیتی می‌شود. نتایج این ساختار با نرم‌افزار silvaco به‌صورت سه‌بعدی شبیه‌سازی شده است.

TripleGate MOSFET Transistor using the SiliconGermanium Tunneling Diode for Kink Effect Improvement

This paper proposes a new structure of triplegate transistors (SGTD). By using the silicongermanium in the source region and creating a diode tunneling inside the source, the characteristic of the proposed triplegate MOSFET is improved in comparison with a conventional triplegate MOSFET (CTG). In the proposed structure , not only insulation under of the transistor channel is maintained, but also it reduces the negative effects. In the structure to prevent the accumulation of holes in the channel region, the silicongermanium have used. This can reduce the floating body effect (FBE), the selfheating effect (SHE), and the current density of holes in the proposed triplegate MOSFET . The proposed structure is simulated with 3DSilvaco software.