پیشنهاد یک طرح جدید به‌منظور افزایش بازده دیود گسیل نور گالیم نیتراید مبتنی بر بلور فوتونی

بازتاب داخلی کلی نور یکی از پدیده‌هایی است که باعث کاهش بازده دیود گسیل نور می‌شود. در این مقاله، با به‌کارگیری بلورهای فوتونی مبتنی بر حفره و کاهش بازتاب داخلی کلی نشان داده شد که بازده یک دیود گسیل نور gan را می‌توان بیش از دو برابر افزایش داد. با بهره‌گیری از روش تفاضل محدود حوزه زمان و استفاده از 15 دوره تناوب با ثابت شبکه nm 680، ارتفاع حفره nm 210 و نسبت طول حفره به ثابت شبکه 0.5 به ازای طول موج nm 400، بازده افزاره تا 2.1 برابر افزایش یافت. شبیه‌سازی و مقایسه نتایج به‌دست‌آمده از آن به ازای طول موج‌های 400 و 465 نانومتر با پژوهش‌های دیگر نشان داد که به‌کارگیری افزاره پیشنهادی، امکان دست‌یابی به بازده بیش‌تری را فراهم می‌سازد.

Proposal a New Design to Efficiency Enhancement of GaN LightEmitting Diode Based on Photonic Crystal

Total internal reflection of light is a phenomena which reduces the efficiency of a light emitting diode. In this paper, by using hole type photonic crystals and reducing total internal reflection, it was shown that one can increase the efficiency of a GaN light emitting diode by 2 fold. With help of finite difference time domain method and using 15 periods of air holes with lattice constant, height, length to lattice constant ratio equal to 680 nm, 210 nm and 0.5 respectively, at wavelength of 400 nm the efficiency was increased by 2.1 factor. The simulation and comparing the obtained results for wavelength of 400 and 465 nm, with previous works showed that by using the proposed device it is possible to obtain better efficiencies.