|
|
|
|
ارائه ساختاری جدید از ترانزیستورهای اثرمیدان در مقیاس نانو به‌منظور بالابردن قابلیت اطمینان
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
مهراد مهسا ,زارعی میثم
|
|
منبع
|
مهندسي برق دانشگاه تبريز - 1397 - دوره : 48 - شماره : 3 - صفحه:1399 -1404
|
|
چکیده
|
ترانزیستورهای ماسفت با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق کاربرد وسیعی در صنعت الکترونیک دارند. اما وجود لایه عایق در این ساختارها باعث مشکلاتی مانند اثر بدنه شناور و اثر خودگرمایی می‌گردند. به‌منظور بالابردن عملکرد الکتریکی، در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو ارائه می‌گردد. ساختار پیشنهادی با نام qsz-mosfet ارائه می‌گردد که در آن چهار ناحیه سیلیسیمی در کانال و در اکسید مدفون در نظر گرفته می‌شوند. نواحی نوع n در کانال یک ناحیه تخلیه ایجاد می‌کنند که قابلیت جریان‌دهی ترانزیستور را افزایش می‌دهند. علاوه بر این، اکثر حفره‌های ایجادشده توسط اثر بدنه شناور، توسط این نواحی تخلیه می‌گردند. نواحی نوع p در اکسید مدفون کمک به کاهش دمای شبکه می‌کنند و راهی برای عبور گرما از قسمت فعال ترانزیستور به زیرلایه ایجاد می‌کنند. عملکرد ساختار پیشنهادی و ساختار ماسفت مرسوم توسط نرم‌افزار atlas شبیه‌سازی می‌شوند و نشان داده می‌شود که ترانزیستور پیشنهادی دارای عملکرد بهتری نسبت به ساختار متداول از نظر قابلیت جریان‌دهی، ماکزیمم دمای الکترون در کانال، میدان الکتریکی، جریان حالت خاموش، دمای شبکه و قابلیت تحرک الکترون می‌باشد. در کنار مزایای ذکرشده، جایگزینی بخشی از اکسید مدفون با سیلیسیم موجب افزایش خازن پارازیتی می‌گردد.
|
|
کلیدواژه
|
ترانزیستورهای اثرمیدان فلز-اکسید -نیمه‌هادی (ماسفت)، تکنولوژی سیلیسیم روی عایق، اثر بدنه شناور، دمای شبکه، میدان الکتریکی
|
|
آدرس
|
دانشگاه دامغان, دانشکده فنی و مهندسی, ایران, دانشگاه دامغان, دانشکده فنی و مهندسی, گروه مهندسی برق, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
mzareiee@du.ac.ir
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
A Novel Nano MOSFET for Increasing the Device Reliability
|
|
|
|
|
Authors
|
Mehrad M. ,Zareiee M.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|