|
|
|
|
طراحی پیش تقویتکننده rgc کم نویز مدار مجتمع cmos با پهنای باند ghz 20 و بهره dbω 60
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
امیری پرویز ,صیفوری محمود ,آفرین بابک ,هدایتی‌پور آوا
|
|
منبع
|
مهندسي برق دانشگاه تبريز - 1395 - دوره : 46 - شماره : 2 - صفحه:15 -23
|
|
چکیده
|
در این مقاله، یک مدار تقویتکننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm cmos0.18 برای استفاده در سیستم‌های مخابرات نوری ارائه میشود. در این مدار یک پیش‌تقویت‌کننده rgc در ورودی استفاده شده است. ساختار rgc در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار rgc به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویتکننده امپدانس انتقالی میشود. در این مدار با استفاده از تکنیک‌های خازن دیژنراسیون و شبکه تطبیق مداری طراحی شده است که دارای پهنای باند ghz 20 و بهره امپدانس انتقالی dbω 60 و چگالی طیفی جریان نویز ارجاع به ورودی، pa/sqrthz 12 در باند فرکانسی تقویتکننده است. همچنین عملکرد مدار، شامل بهره امپدانس انتقالی و چگالی طیفی جریان نویز ارجاع به ورودی، پس از طراحی جانمایی، با شبیه‌سازی همراه با نظر گرفتن اثر خازن‌های پارازیتی تایید شد.
|
|
کلیدواژه
|
سیستم‌های مخابرات نوری، تقویتکننده امپدانس انتقالی، خازن دیژنراسیون، شبکه تطبیق
|
|
آدرس
|
دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی, دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر, ایران, دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی, دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر, ایران, دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی, دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر, ایران, دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی, دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
ava.hedayati@srttu.edu
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Authors
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|