|
|
|
|
بررسی تاثیر تنش جانبی بایاس‌کننده بر رفتار مکانیکی-مغناطیسی تک کریستال آلیاژ حافظه‌دار مغناطیسی
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
صیادی حسن ,هویت طلب مریم ,محرابی محمدمهدی
|
|
منبع
|
مهندسي مكانيك شريف - 1398 - دوره : 35-3 - شماره : 1 - صفحه:93 -101
|
|
چکیده
|
آلیاژهای حافظه‌دار مغناطیسی گروه جدیدی از مواد هوشمندند که به دلیل خواصی ویژه مانند کرنش بالای قابل بازگشت، عمر خستگی بالاو پاسخ زمانی سریع به گزینه‌یی مناسب برای سیستم‌های برداشت‌کننده‌ی انرژی، عملگرها و سنسورها بدل شده‌اند. برای استفاده از این مواد در سیستم‌های مذکور همواره به یک سازوکار برگشت نیاز است تا نمونه‌ی آلیاژ را به حالت اولیه برگرداند. روش رایج در برداشت‌کننده‌های انرژی استفاده از یک میدان مغناطیسی بایاس است ولی در این نوشتار با قرار دادن یک تنش بایاس در کنار میدان بایاس، عملکرد سازوکار برگشت بهبود داده می‌شود. به این منظور، اثر اعمال یک تنش فشاری در راستای میدان بایاس بر یک تک‌کریستال آلیاژ حافظه‌دار مغناطیسی، مورد بررسی قرار می‌گیرد. این تنش فشاری می‌تواند ناشی از پیش‌کرنش یا یک سیستم فنری باشد. بدین منظور روابط حاکم بر مسئله در حالت بارگذاری دوبعدی با استفاده از مدل‌های پایه ترمودینامیکی موجود استخراج می‌شود و در بخش شبیه‌سازی، در هر قسمت با تغییر تنش فشاری بایاس‌کننده، اثر این تنش بر خواص مکانیکی مغناطیسی ماده مطالعه می‌شود. با اضافه کردن این تنش مشاهده می‌شود سازوکار برگشت عملکرد بهتری از خود نشان داده، به طوری که میزان تغییرات مغناطیس شوندگی ماده که بر ولتاژ خروجی اثر می‌گذارد، افزایش می‌یابد. همچنین مشخص می‌شود که میدان بایاس به طور کامل قابل حذف نیست و بهترین عملکرد در میدان مغناطیسی 0٫24 تسلا و تنش فشاری 0٫3 مگاپاسکال اتفاق می‌افتد.
|
|
کلیدواژه
|
آلیاژ حافظه‌دار مغناطیسی، برداشت انرژی، میدان بایاس، سازوکار برگشت
|
|
آدرس
|
دانشگاه صنعتی شریف, دانشکده مهندسی مکانیک, ایران, دانشگاه صنعتی شریف, دانشکده مهندسی مکانیک, ایران, دانشگاه صنعتی شریف, دانشکده مهندسی مکانیک, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
meisam.mehrabi93@gmail.com
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
STUDY THE EFFECT OF TRANSVERSAL BIASING STRESS ON MAGNETOMECHANICAL BEHAVIOR OF MAGNETIC SHAPE MEMORY ALLOY SINGLE CRYSTAL
|
|
|
|
|
Authors
|
Sayyaadi H. ,Hoviattalab M. ,Mehrabi M.M.
|
|
Abstract
|
Magnetic shape memory alloys (MSMAs) are a new class of smart materials which are good candidates for energy harvester, actuator and sensor systems due to their special properties such as high reversible strain, high fatigue life and fast time response. In order to use these materials in mentioned systems, a returning mechanism is always needed to return the specimen to the initial situation. Common method in energy harvesters is applying a bias magnetic field, but in this paper, the function of returning mechanism is improved by applying a bias stress which works together with the bias field. For this purpose, the influence of exerting a compressive stress along the bias field direction on a single crystal of a magnetic shape memory alloy is addressed. This compressive stress can be caused by a prestrain or a springbased system. To achieve this aim, general equations of problem in 2dimentional loading situation is derived by using existing thermodynamicbased models, and in simulation section, the effect of the biasing compressive stress on magnetomechanical characteristics of material is investigated by altering this stress in different situations. After applying this stress, it is illustrated that the returning mechanism shows a better performance in the sense that the amount of magnetization variation of material, which influences output voltage, increases. It is also demonstrated that completely removing the bias field is impossible and the best function is in 0.24 tesla of magnetic field with 0.3 MPa compressive stress.
|
|
Keywords
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|