>
Fa   |   Ar   |   En
   لایه‌نشانی، مشخصه‌یابی و بررسی خواص الکتریکی نوری لایه نازک نانو ساختار اکسید روی آلاییده شده با منیزیم تهیه شده به روش سل – ژل  
   
نویسنده تفاخ ساهره ,گندمکار مجتبی ,حیدری مقدم علی
منبع مواد نوين - 1399 - دوره : 10 - شماره : 4 - صفحه:107 -124
چکیده    اکسید روی (zno) به عنوان ماده نیمه ‌رسانا با شکاف نواری مستقیم و پهن، اهمیت زیادی در ساخت قطعات الکترونیکی مانند ترانزیستورهای اثر میدانی و قطعات اپتو الکترونیکی نظیر دیود های نور گسیل و همچنین آشکار سازی نوری دارد. در این پژوهش با استفاده از لایه ‌نشانی به روش سل – ژل، پوشش ‌های لایه نازک از اکسید روی آلاییده شده با درصدهای مختلف منیزیم (6%، 8%، 10%) تولید شد. ایجاد لایه نازک به روش پوشش چرخشی بر زیر ‌لایه سیلیکونی (si/sio2) و همچنین الکترود ‌گذاری از جنس پلاتین بر روی زیر لایه صورت گرفت. به منظور سنتز ماده مذکور، لایه‌ های آماده شده به مدت 6 ساعت در دمای c ̊560 قرار گرفت. مشخصه ‌یابی لایه ‌های نازک با استفاده از پراش پرتو ایکس (xrd) و تصویر برداری میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) انجام شد. نتایج حاصل از مطالعه و آنالیز تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی نشان دهنده تشکیل نانو ساختار بهم چسبیده گل کلمی شکل است. در بررسی پراش پرتو ایکس نمونه ‌ها، فازهای mg+2، zno،mgo مشاهده شد. بررسی خواص الکتریکی نوری نشان داد با افزایش شدت تابش نور، رسانایی الکتریکی نمونه ‌ها افزایش می‌یابد. همچنین با بررسی حساسیت نوری مشاهده شد که در حالت 6% منیزیم حساسیت نوری بیشتر است.
کلیدواژه منیزیم، اکسید روی، سل ژل، لایه نازک، خواص فتوالکتریکی
آدرس دانشگاه آزاد اسلامی واحد دزفول, گروه مهندسی برق, ایران, دانشگاه صنعتی جندی‌شاپور, دانشکده برق و کامپیوتر, گروه الکترونیک, ایران, دانشگاه آزاد اسلامی واحد دزفول, مرکز تحقیقات مواد و انرژی, ایران
پست الکترونیکی alheidarym@yahoo.com
 
   Deposition, Characterization and Investigation of Photo-Electrical Properties of Nanostructured Thin Film Mg Doped ZnO by Sol-Gel Method  
   
Authors Tafakh sahereh ,Gandomkar Mojtaba ,Heidary Moghadam Ali
Abstract    Zinc oxide (ZnO), which is considered to be a semiconductor material with a straight and wide band gap is great importance in optoelectronic components such as fieldeffect transistors and such lightemitting diodes as well as optical detecors. In this study, thin film magnesium doped zinc oxide layers with samples containing 6%, 8%, 10% magnesium have been performed by Solgel method.The thin film layer was created by spin coating method on silicone base substrate (Si/SiO2). Platinum electrodes are used for electrical connection. In order to synthesize the substance, the prepared layers were placed at 560 °C for 6 hours. The detection of thin film layers are investigated using Xray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM) imaging. The results of the analysis of scanning electron microscopy images show the formation of a cohesive nanostructured structure. In the study of Xray diffraction of the samples, Mg+2, ZnO and MgO phases were formed. Examination of photoelectrical properties showed that the conductivity of the samples is increased with increasing intensity of ambient light intensity which is suitable for ambient light sensing. In addition, it’s shown that the optical sensitivity is higher in the 6% magnesium consentration.
Keywords
 
 

Copyright 2023
Islamic World Science Citation Center
All Rights Reserved