بررسی اثر آلایش ایندیوم بر خواص ساختاری و نوری لایه‌های نازک سولفید قلع تهیه شده با روش الکتروانباشت

با استفاده از روش رسوب الکتروشیمیایی، لایه های نازک سولفید قلع (sns) خالص و آلایش یافته با ایندیوم از یک محلول آبی تهیه شدند. دمای حمام، زمان لایه نشانی، پتانسیل انباشت لایه و ph به ترتیب ℃ 60، 30 دقیقه، v 1 و 2.1 بودند. لایه های نازک تهیه شده با استفاده از روش های پراش پرتو x (xrd)، میکروسکوپ الکترونی عبوری (fesem)، نورتابناکی (pl) و طیف نگاری uvvis مشخصه یابی شدند. الگوهای xrd نشان دادند که آلایش ایندیوم، منجر به کاهش کیفیت بلوری و ریزتر شدن اندازه بلورها می گردد. تصاویر fesem نشان دادند که مورفولوژی لایه های نازک دانهشکل بوده و ساختارهایی در مقیاس میکرو/نانومتری وجود داشت. نتیجه آزمایش فوتولومینوساناس (pl) نشان داد که در اثر آلایش ایندیوم یک قله نشری جدیدی در محدوده نشر نور نارنجی ایجاد می شود. آنالیز طیف نگاری uvvis نشان داد که ویژگی جذب نور لایه های نازک sns پس از آلایش ایندیوم بهبود یافته و انرژی پهنای باند لایه های sns خالص از ev 1.45 به ev 1.40 کاهش یافت. بنابراین، کلیه نتایج نشان دهنده نقش کلیدی آلاینده ایندیوم بر خواص ساختاری و نوری لایه های نازک sns است.