|
|
طراحی و ساخت دیود شاتکی نانوگرافین- سیلیکون و بررسی نقش نانولایه گرافین در پاسخدهی نوری آن
|
|
|
|
|
نویسنده
|
امیرمزلقانی مینا ,رییسی فرشید ,قهرمانی فرشته ,خواجه مهدی
|
منبع
|
نانو مواد - 1392 - دوره : 5 - شماره : 13 - صفحه:10 -19
|
|
|
چکیده
|
در این پژوهش پاسخدهی نوری نانولایه گرافین، به کمک ساخت دیود شاتکی نانوگرافین- سیلیکون مورد بررسی قرار گرفته است. جهت ایجاد پیوند شاتکی، نانولایهای از گرافین بر روی زیرلایهای از سیلیکون قرار گرفته است. زیرلایه سیلیکونی تا ضخامت 270 نانومتر اکسید شده است و پس از لایهنشانیهای کروم- طلا (ضخامت لایههای کروم- طلا به ترتیب 50 و150 نانومتر است)، با استفاده از ماسک مخصوصی الگو شده است. منحنی مشخصههای (جریان- ولتاژ) دیود شاتکی نانوگرافین- سیلیکون تحت تابشهایی با طول موجهای 670، 700 و 1100 نانومتر و نیز تحت تابش نور زرد مورد تحلیل و بررسی قرار گرفتهاند. به منظور مشخص شدن نقش نانولایه گرافین در ایجاد جریان نوری، امواج 700 و 1100 نانومتری به پشت قطعه ساخته شده نیز تابانده شدهاند و جریانهای نوری تولید شده از پشت و جلوی قطعه با هم مقایسه شدهاند. نتایج آزمایشات نشان میدهد که جریان نوری تولید شده تحت تابشهای 700 و 1100 نانومتری و از جلوی قطعه، به ترتیب 23 برابر و 17 برابر نسبت به پشت قطعه افزایش یافته است. این افزایش میتواند تاثیر نانولایه گرافین را در امر آشکارسازی مشخص کند و همچنین مشخص کننده مقدار زیاد جریان نوری تولید شده در گرافین در حالت تابش از جلو است. منحنی مشخصههای قطعه تحت تابشهای 670 نانومتر و نور زرد، علاوه بر نشان دادن جریان نوری تولید شده، نشان دهنده ولتاژ نوری تولید شده در قطعه نیز است و کاربرد آن به عنوان سلول خورشیدی را آشکار میکنند. در این پژوهش، همچنین به تحلیل فیزیکی خواص نوری نانولایه گرافین پرداخته شده است و تیوریهایی که تولید جریان نوری در گرافین را بیان میکنند، مورد بررسی قرار گرفتهاند.
|
کلیدواژه
|
نانوگرافین ,سیلیکون ,دیود شاتکی ,سلول خورشیدی ,Graphene Nano-Layer ,Si ,Schottky Diode ,Solar Cell
|
آدرس
|
دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی, ایران, دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی, ایران, دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی, ایران, دانشگاه صنعتی مالک اشتر, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Authors
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|