|
|
اندازهگیری ترکیبات آلی فرار توسط نانوکامپوزیت ceo2-tio2 رشد داده شده روی گرافن اکسید کاهشیافته
|
|
|
|
|
نویسنده
|
صمدی سوسن ,پیرنظر اسماعیل ,ذکریا امیرعباس
|
منبع
|
نانو مواد - 1397 - دوره : 10 - شماره : 35 - صفحه:151 -160
|
چکیده
|
در این مقاله به منظور افزایش حساسیت سنجش ترکیبات آلی فرار، نانوکامپوزیتهای ceo2-tio2 روی گرافن اکسیدکاهیده شده رشد داده شدند. نانوکامپوزیتهای ceo2-tio2 از طریق روشهای هیدروترمال و سل- ژل سنتز شدند. گرافن اکسید به دو روش احیا شد. در حالت اول فقط از روش سولوترمال استفاده (rgo) و در حالت دوم، ابتدا با کمک هیدرازین هیدرات احیا و سپس به روش سولوترمال مجددا احیا شد (rgo2). نتایج الگوی پراش اشعه ایکس (xrd)، تشکیل فاز آناتاز tio2، rgo و ceo2 را تایید نمود. تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (fesem)، تشکیل ساختار لایهای گرافن اکسید کاهیده شده و تشکیل نانوذرات ceo2-tio2 در ابعاد نانومتر را نشان داد. همچنین آنالیز تفرق انرژی پرتو ایکس (eds) وجود اکسیژن، تیتانیم، سریم و کربن را تایید نمود. حساسیت حسگرهای ساخته شده برای نمونههای آلی فرار نشان داد که rgo و rgo2 سبب افزایش حساسیت حسگر شده و حساسیت حسگر tio2-ceo2-rgo2 نسبت به tio2-ceo2-rgo بسیار مناسبتر است. حسگر tio2-ceo2-rgo2 حدود 360 واحد حساسیت را نسبت به ppm 300 اتانول در دمای اتاق نشان داده است. لگاریتم حساسیت این حسگر دارای رابطه خطی نسبت به تغییرات غلظت اتانول بوده و نشان دهنده توانایی این حسگر برای اندازهگیری کمی اتانول است. زمانهای پاسخ و بازیابی به عنوان دیگر خواص بهبود یافته حسگرها اندازهگیری شدند. مکانیسم سنجش حسگر بر اساس تغییر سد اتصال ناهمگن در ارتباط با rgo2، ceo2 و tio2 مورد بررسی قرارگرفت.
|
کلیدواژه
|
نانوذرات اکسید فلزی، حسگر گازی، گرافن اکسید کاهش یافته، نانوکامپوزیت
|
آدرس
|
دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ری, گروه شیمی, ایران, دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ری, گروه شیمی, ایران, دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ری, باشگاه پژوهشگران جوان و نخبگان, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
measurement volatile organic compounds by ceo2/tio2nanocomposite grown reduced graphene oxide
|
|
|
Authors
|
samadi s. ,pirnazar e. ,zakaria a.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|