یک تقویت کننده‌ی امپدانس انتقالیCmos کم مصرف برای کاربردهای مخابرات نوری2.5gb/S

در این مقاله یک تقویت کننده‌ی امپدانس انتقالی جهت گیرنده‌های نوری ارایه می‌شود. این تقویت کننده بر اساس توپولوژی فیدبک مقاومتی- خازنی به صورت موازی می‌باشد که از نظر توان مصرفی بهینه شده است و از تکنیک shunt peaking (بالازدگی موازی) نیز برای افزایش پهنای باند فرکانسی استفاده شده است. این مدار در تکنولوژی 0.18 µm cmos طراحی و شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی بهره‌ی 67.5 db?، پهنای باند 3ghz و توان مصرفی 12.16 mw را نشان می‌دهد که نشان دهنده عملکرد مناسب تقویت کننده‌ی پیشنهادی برای کاربردهای 2.5gb/s جهت استفاده در استاندارد sonet oc-48)) می‌باشد. دیاگرام چشمی به دست آمده برای نرخ داده‌ی 2.5 gb/s کیفیت سیگنال قابل قبولی رابرای جریان‌های ورودی تا 10 µa نشان می‌دهد.