|
|
|
|
طراحی و شبیه‌سازی تقویت‌کننده کم نویز باند باریک با توان مصرفی پایین در فناوری 180 نانومترCmos
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
کریمی اسماعیل
|
|
منبع
|
روش هاي هوشمند در صنعت برق - 1398 - دوره : 10 - شماره : 39 - صفحه:23 -28
|
|
|
|
|
چکیده
|
خلاصه: در این مقاله، طراحی تقویت‌کننده کم نویز (lna) با القاگر در سورس در فرکانس 2.4ghz ارائه شده است. فناوری استفاده شده در طراحی این مقاله tsmc 0.18um cmos است. ساختار کسکود باعث کاهش توان مصرفی در مدار می‌شود[1]؛ از طرفی مزیت استفاده از ساختار کسکود، افزایش امپدانس خروجی در مدار است که این افزایش امپدانس، افزایش بهره مدار را به دنبال دارد. مدار ارائه‌شده یک تقویت‌کننده کم نویز کسکود شده با القاگر در سورس به همراه یک شبکه‌ی تطبیق امپدانس افزوده‌شده در ورودی و خروجی است؛ که باعث شده تا عدد نویز و توان مصرفی به ترتیب برابر با 1.6db و 2.1mw به دست آیند. افزودن شبکه تطبیق منجر به یک درجه آزادی بیشتر برای بهبود عدد نویز و توان مصرفی در مدار و از طرفی کاهش مساحت داخلی تراشه شده است. در المان های دیگری که به مدار اضافه شده است علاوه بر اینکه ملاحظات کاهش توان و عدد نویز در نظر گرفته شده است؛ باعث شده بهره مدار و ضریب انعکاس در ورودی در فرکانس موردنظر به ترتیب برابر با 20db و 12db به دست آیند.
|
|
کلیدواژه
|
تقویت کننده کم نویز، تطبیق امپدانس، بهره، نویز
|
|
آدرس
|
شرکت صبا نجف آباد, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
iaun.karimi@gmail.com
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Design and simulation of a lownoise lowpower narrowband amplifier (LNA) in 180 nm CMOS technology
|
|
|
|
|
Authors
|
کریمی اسماعیل
|
|
Abstract
|
Abstrac: In this paper presented discussed to design a low noise amplifier (LNA) with inductor at source in TSMC 0.18um CMOS technology to 2.4 GHz. Cascode structure cause reduces the power consumption of the circuit[1]; the advantage of using cascade structure, increase the output impedance of the circuit impedance increases, increasing the circuit to follow. The circuit presented in this article a low noise amplifier cascoded with inductor in the source along with impedance matching network added in the input and output; and led to 1.6db noise figure and power consumption of 2.1mw achieved, respectively. Add matching networks to a greater degree of freedom in circuit for improved noise figure and power consumption and chip internal area is also reduced. Add the rest of the circuit in addition to reducing power and noise figure considerations in mind we have been able in the desired frequency and reflection coefficient in the input circuit respectively 20db and 12db achieved.
|
|
Keywords
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|