|
|
|
|
رابطه جدید محاسبه مقاومت بدنه درترانزیستورهای MOSFET PD SOI در مقیاس نانومتر
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
دقیقی آرش ,عسکری خشویی اعظم
|
|
منبع
|
روش هاي هوشمند در صنعت برق - 1388 - دوره : 1 - شماره : 3 - صفحه:17 -24
|
|
چکیده
|
در این مقاله یک مدل جدید غیرخطی برای بهبود محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای pd soi در مقیاس 45 نانومتر ارائه می‌گردد. این مدل بر پایه شبیه‌سازی‌های سه بعدی سیگنال کوچک ارزیابی می‌شود. در این مقاله فاکتورهای مشخص‌کننده مقاومت بدنه در ترانزیستورهای نانومتر، با استفاده از قابلیت شبیه‌سازی سه بعدی نرم‌افزار ise-tcad نشان داده می‌شود و سپس با استفاده از مدل پتانسیل سطح، رابطه‌ای ریاضی برای محاسبه مقاومت بدنه بر حسب متغییرهای پتانسیل بدنه و عرض افزاره، بیان می‌گردد. در نهایت نتایج شبیه‌سازی سه بعدی نرم‌افزاری و رابطه ریاضی به دست آمده با آخرین نتایج بدست آمده مورد مقایسه قرار می‌گیرد. مقایسه نتایج، بهبود رابطه ریاضی ارائه شده را نشان می‌دهد.
|
|
کلیدواژه
|
PSP SOI ,PD SOI ,مقاومت بدنه ,پتانسیل بدن ,نانومتر
|
|
آدرس
|
دانشگاه شهرکرد, دانشکده فنی, گروه برق, ایران, مرکز آموزش علمی کاربردی تیران و کرون, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Authors
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|