|
|
|
|
طراحی و شبیه سازی تقویتکننده توان دوهرتی 20 وات در فرکانس 2.14 گیگاهرتر برای سیستم های ارتباطی بی سیم
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
رضائی برجلو شعبان ,علی باقری حسین
|
|
منبع
|
روش هاي هوشمند در صنعت برق - 1398 - دوره : 10 - شماره : 37 - صفحه:23 -30
|
|
چکیده
|
در این پژوهش، یک تقویتکننده توان دوهرتی متقارن در فرکانس 2.14ghz با بازدهی توان بالا و توان خروجی 20 وات طراحی و شبیه سازی شده است. این تقویتکننده توان برای استفاده در قسمت بلوک تقویتکننده توان یک فرستنده مخابرات بی سیم wcdma ارائه شده است. این تقویتکننده توان از دو تقویتکننده تشکیل شده است. تقویتکننده توان اصلی که در کلاس ab و تقویتکننده توان کمکی که در کلاس c طراحی شدهاند. برای تقسیم توان بین هر دو تقویت کننده بصورت مساوی از یک مقسم توان ویلکینسون متقارن استفاده شده است. در نهایت با استفاده از روش مدولاسیون بار یک ترکیب کننده مناسب توان برای ترکیب مناسب خروجی دو تقویت کننده، طراحی و شبیه سازی شده است. با استفاده از ترانزیستور mrfg351010 بعنوان یک قطعه فعال با تکنولوژی gaasphemt حداکثر توان خروجی 20 وات در حداکثر بازدهی 65.46% و بهره توانی 8.56db حاصل شده است. حداکثر توان خروجی و حداکثر بازدهی تقویتکننده توان، در ناحیه اشباع ترانزیستور با 6db(obo) به ترتیب برابر با 36dbm و 25.3% بدست آمده است.
|
|
کلیدواژه
|
تقویت کننده دوهرتی، بازدهی، بهره توان، تکنولوژی gaasphemt
|
|
آدرس
|
دانشگاه آزاد اسلامی واحد آشتیان, دانشکده مهندسی برق, ایران, دانشگاه آزاد اسلامی واحد آشتیان, دانشکده مهندسی برق, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
bagheri.h@aiau.ac.ir
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Design and Simulation of a 20Watt Doherty Power Amplifier at a frequency of 2.14 GHz for wireless communication systems
|
|
|
|
|
Authors
|
rezaei borjlu shaban ,alibagheri hossein
|
|
Abstract
|
In this study, a symmetrical doherty power amplifier was designed and simulated at a frequency of 2.14 GHz with high power added efficiency and output power of 20watts. Doherty Power Amplifier generally consist of two separate power amplifiers. The main power amplifier enhancer is designed and developed in the AB class. Auxiliary power amplifier is designed in class C. To divide the power between the two amplifiers equally, a symmetric Wilkinson power distribution is used. Finally, using a load modulation method, a suitable power coupler is designed and simulated to combine the proper output of two amplifiers. Using the MRFG351010 transistor as an active component with GaAspHEMT technology, the maximum output power of 20watts is achieved at a maximum output of 65.46% and power gain of 8.56dB. The maximum output power and power added efficiency in the saturation region of the transistor with 6dB output back off (OBO) is 36dBm and 25.3%, respectively.
|
|
Keywords
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|