|
|
تاثیر افزودن جزئی عنصر سیلیسیم بر رفتار الکترومغناطیسی کامپوزیتهای زمینه سرامیکی tic/ti3alc2
|
|
|
|
|
نویسنده
|
زمانی خشایار ,طاووسی مجید ,قاسمی علی ,گردانی غلامرضا
|
منبع
|
مواد پيشرفته در مهندسي - 1402 - دوره : 42 - شماره : 3 - صفحه:49 -60
|
چکیده
|
در پژوهش حاضر تاثیر افزودن جزئی سیلیسیم بر رفتار ساختاری و الکترومغناطیس کامپوزیتهای زمینه سرامیکی tic/ti3alc2 مورد بررسی قرار گرفته است. در این راستا، برای سنتز کامپوزیت مورد نظر از فرایند آسیابکاری و عملیات آنیل بهره گرفته شد. بررسیهای ساختاری و فازی توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی، آنالیز حرارتی افتراقی و دستگاه پراشسنج پرتو ایکس و بررسی رفتار الکترومغناطیسی توسط دستگاه تحلیگر شبکهای صورت گرفت. نتایج نشان داد که امکان سنتز ساختار کامپوزیتی tic/ti3alc2 با افزودن جزئی سیلیسیم بهصورت درجا وجود دارد. سیستم 2tic-al-ti-0.2si بهترین رفتار جذب امواج الکترومغناطیسی با تلفات انعکاس حدود 30/10- دسیبل در فرکانس تطبیق 15/1 گیگاهرتز را نشان داد. پس از عملیات آنیل در دمای 1400 درجه سانتیگراد، مشخص شد ساختار کامپوزیتی tic/ti3alc2 حاصل از فرایند آسیابکاری پایدار است ولی رفتار جذب الکترومغناطیسی تحت تاثیر قرار میگیرد. بدینگونه که کمترین اتلاف بازتاب ترکیبات آنیلشده حدود 1- دسیبل بود.
|
کلیدواژه
|
کامپوزیت tic/ti3alc2، رشد درجا، تلفات انعکاس، خواص الکترومغناطیسی
|
آدرس
|
دانشگاه صنعتی مالکاشتر, مجتمع دانشگاهی علم مواد و مواد پیشرفته الکترومغناطیس, ایران, دانشگاه صنعتی مالکاشتر, مجتمع دانشگاهی علم مواد و مواد پیشرفته الکترومغناطیس, ایران, دانشگاه صنعتی مالکاشتر, مجتمع دانشگاهی علم مواد و مواد پیشرفته الکترومغناطیس, ایران, دانشگاه صنعتی مالکاشتر, مجتمع دانشگاهی علم مواد و مواد پیشرفته الکترومغناطیس, ایران
|
پست الکترونیکی
|
gordani@gmail.com
|
|
|
|
|
|
|
|
|
the effect of partial addition of silicon on the electromagnetic behavior of tic/ti3alc2 ceramic matrix composites
|
|
|
Authors
|
zamani kh. ,tavoosi m. ,ghasemi a. ,gordani g. r.
|
Abstract
|
in this study, the effect of partial addition of silicon on the structural behavior and electromagnetism of tic/ti3alc2 ceramic matrix composites has been investigated. in this regard, the mechanical alloying and annealing processes were used for the synthesis of the desired composite. structural and phase investigations were performed using scanning electron microscope, differential thermal analysis, and x-ray diffractometer, and electromagnetic behavior was investigated by network analyzer. the results showed that it was possible to synthesize tic/ti3alc2 composite structure with in-situ partial addition of silicon. 2tic-al-ti-0.2si system showed the best absorption behavior of electromagnetic waves with reflection loss of about -30.10 db at matching frequency of 15.1 ghz. it was found that the tic/ti3alc2 composite structure obtained from the mechanical alloying was stable after annealing at 1400 °c. however, the electromagnetic absorption behavior was affected. thus, the reflection loss of the annealed samples was obtained about -1db.
|
Keywords
|
tic/ti3alc2 composite ,in situ growth ,reflection loss ,electromagnetic properties
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|