ساخت و بررسی سلول خورشیدی پروسکایتی بر پایه لایه انتقال ‌دهنده حفره نیکل اکسید و لایه محافظ میانی فولرین

به‌دلیل افزایش نیاز بشر به منابع انرژی پاک، فناوری سلول‌های خورشیدی با سرعت زیادی در حال گسترش است. از جمله مهم‌ترین چالش‌ها در ساخت سلول‌های خورشیدی پروسکایت، عدم وجود یک ماده انتقال‌ دهنده موثر حفره با پایداری و قیمتی مناسب است. نیمه‌هادی‌های نوع p غیرآلی مانند نیکل اکسید در مقایسه با انتقال‌ دهنده‌های حفره آلی از نظر قیمتی بسیار مقرون به‌صرفه هستند. علاوه بر این، ویژگی‌هایی از قبیل گاف انرژی پهن، رسانندگی بالا، پایداری و مقاومت در برابر رطوبت و فرایند ساخت بر پایه محلول، این انتقال‌ دهنده حفره‌ غیرآلی نانوساختار را به‌عنوان گزینه مناسبی برای جایگزینی مواد آلی تبدیل کرده است. هدف از انجام پژوهش حاضر ارزیابی مشخصات و مکانیزم نیکل اکسید به‌عنوان انتقال‌ دهنده حفره در ساختار سلول خورشیدی پروسکایتی نانوساختار به‌صورت معکوس و با استفاده از لایه محافظ میانی فولرین است. برای سلول‌های خورشیدی با این ساختار فاکتور پرشوندگی حدود 71 درصد و چگالی جریان 5.21 میلی‌آمپر بر سانتی‌متر مربع و ولتاژ مدار باز 1000 میلی‌ولت و بازده 2.15 درصد به‌دست آمد.

FABRICATION AND INVESTIGATION OF PEROVSKITE SOLAR CELL BASED ON NICKEL OXIDE HOLE TRANSPORT LAYER AND FULLERENE INTERLAYER

Increased demand for clean energy sources, solar cell technology is expanding rapidly. One of the most critical challenges in constructing perovskite solar cells is the lack of an effective hole transport layer with stability and reasonable price. Inorganic ptype semiconductors such as nickel oxide are very costeffective compared to organic ones. Features such as wide energy gap, high conductivity, stability and resistance to moisture, and solutionbased manufacturing process, make the nanostructured inorganic hole transport layer a viable alternative to organic materials. The purpose of this project was to evaluate the characteristics and mechanism of nickel oxide as a hole transport material and fullerene as an interlayer in the structure of inverted nanostructured perovskite solar cells. These solar cells obtained a fill factor of about 71%, a current density of 21.5 mA/cm2, an opencircuit voltage of 1000 mV, and an efficiency of 15.2%.