ساخت و بهینه‌سازی تمپلت‌های اکسید آلومینیوم جهت سنتز نانو‌سیم‌های فریت استرانسیوم و مقایسه آن با نانوپودرهای فریت استرانسیوم سنتز شده با روش سل- ژل

در این تحقیق با به کارگیری آندایزینگ دو مرحله ای، تمپلت آلومینایی منظم با قطر حفره 30 نانومتر و طول 15 میکرومتر ساخته شد. سپس با کمک روش غوطه وری در محلول سل، نانو سیم های فریت استرانسیوم تهیه شدند. نانوپودرهای فریت مورد نظر نیز با استفاده از روش سل ژل سنتز شد. مشخصه یابی نانوساختارها با استفاده از پراش پرتو ایکس (xrd)، میکروسکوپ الکترونی روبشی نشر میدانی (fesem) و آزمون طیف سنجی توزیع انرژی (eds) انجام شد. منحنی مغناطش برای نانوپودر و نانو سیم ها (در جهت موازی و عمود با محور نانو سیم) با استفاده از دستگاه تداخل سنج کوانتومی ابررسانایی (squid) رسم شد. نتایج بیانگر آن است آندایز دو مرحله ای در اگزالیک اسید 0/3 مولار در دمای چهار درجه سانتی گراد با آندایز مرحله اول 12 ساعت منجر به ایجاد تمپلت کاملاً منظم می شود. روش غوطه وری در دمای 80 درجه سانتی گراد به مدت دو ساعت منجر به ایجاد نانو سیم های یکنواخت و منظم فریت استرانسیوم می شود؛ نانو سیم های مغناطیسی درون تمپلت ناهمسانگردی عمودی از خود نشان دادند.