|
|
|
|
نقش پایه گرافیتی بر تشکیل ساختار گرادیان ترکیبی C/Sic طی فرایند سمانتاسیون توده‌ای
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
پوراسد جلیل ,احسانی ناصر ,خلیفه‌سلطانی سید علی
|
|
منبع
|
فرآيندهاي نوين در مهندسي مواد - 1395 - دوره : 10 - شماره : 1 - صفحه:91 -98
|
|
|
|
|
چکیده
|
گرافیت به طور گسترده در ساختارهای دمای بالا مورد استفاده قرار گرفته‌است با این حال، گرافیت از دمای حدود 400 درجه سانتیگراد، به آسانی با اکسیژن واکنش می‌دهد. کاربید سیلیسیم (sic) با تغییر تدریجی ترکیب در مقیاس میکروسکوپی به عنوان بهترین ماده برای جلوگیری از اکسیداسیون گرافیت شناخته شده است. در این پروژه پوشش sic بر پنج نوع گرافیت مختلف به روش سمانتاسیون توده‌ای اعمال گردید و رابطه بین ریزساختار و خواص پایه گرافیتی و ساختار پوشش sic با یافته‌های آزمایشگاهی و محاسبات تئوری بررسی شد. آنالیز پراش اشعه ایکس (xrd) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) نشان می‌دهد که در روش سمانتاسیون توده‌ای، پوشش کاربید سیلیسیم با تراکم مناسب با ترکیب si، c و β-sic ایجاد می‌شود. نوع گرافیت و خواص آنها نقش مهمی در ریزساختار پوشش تدریجی ایفا می‌کند، به طوری که پوشش تدریجی sic تنها بر گرافیت با چگالی بالا، گرافیته شده خوب، تخلخل مناسب و با توزیع اندازه حفرات در محدوده 710-600 نانومتر تشکیل می‌شود.
|
|
کلیدواژه
|
سمانتاسیون توده‌ای ,پوشش کاربید سیلیسیم تدریجی ,پایه گرافیتی
|
|
آدرس
|
دانشجوی دکتری، مجتمع دانشگاهی مواد و فناوری‌های, دانشجوی دکتری، مجتمع دانشگاهی مواد و فناوری‌های ساخت، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، تهران, ایران, استاد، مجتمع دانشگاهی مواد و فناوری‌های ساخت،, استاد، مجتمع دانشگاهی مواد و فناوری‌های ساخت، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، تهران, ایران, دانشجوی دکتری، مجتمع دانشگاهی مواد و فناوری‌های, دانشجوی دکتری، مجتمع دانشگاهی مواد و فناوری‌های ساخت، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، تهران, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Authors
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|