بهبود ریزساختار و خواص مغناطیسی فریت‌های لیتیم تولید شده به روش حالت جامد بوسیله افزودنی نانوسیلیکا

یکی از مشکلات اساسی در تولید فریت‌های لیتیم، اتلاف لیتیم در دماهای بالای تف‌جوشی می‌باشد که سبب افت خواص مغناطیسی و الکتریکی در این مواد می‌شود. در این تحقیق فریت لیتیم با روش متداول ساخت سرامیکهایعنی سنتز در حالت جامد و با استفاده از مواد اولیه اکسید آهن و کربنات لیتیم تهیه شد. ساختار کریستالی و ریزساختار فریت تولید شده بوسیله xrd و sem بررسی گردید. همچنین از افزودنی نانوسیلیکا به عنوان کمک سینتر در دماهای مختلف تف‌جوشی استفاده گردید. نتایج نشان داد که ذرات نانو sio2 به دلیل سطح بالای ذرات، مکانیزم تف‌جوشی را از تف‌جوشی در حالت جامد به تف‌جوشی در حالت مذاب تغییر داده و سبب بهبود ریزساختار شده است. علاوه بر این، خواص مغناطیسی به دلیل افزایش اندازه دانه در دماهای پایین تف‌جوشی افزایش یافت. مقادیر بهینۀ خواص (bmax=380mt, hc=333a/m) در مقدار یک درصد وزنی نانوسیلیکا که در دمای c°1050 تف‌جوشی شده است، حاصل شد.