بررسی و تحلیل رفتاری لایه برداری سطحی ناهمسان‌گرد سیلیکون در محلول tmah

 این مقاله به بررسی و تحلیل رفتاری لایه برداری سطحی ناهمسان­گرد سیلیکون (100) در هیدروکسید آمونیم­ تترامتیل(tmah) پرداخته است. فرآیند حکاکی در محلول tmah با غلظت­های مختلف 5%، 10%، 15% و 25% و در دماهای مختلف oc 70، oc 80 و oc90 انجام شد. نتایج نشان می­دهد که نرخ زدایش با افزایش دما، افزایش می­یابد ولی این نرخ با افزایش غلظت tmah در غلظت­های بیشتر از 10% کاهش می­یابد. بیشترین نرخ زدایش برابر با µm/h62 در غلظت­10% و دمای oc 90 است. تصاویر sem نشان می­دهد که در سطح سیلیکون برآمدگی­های شبیه به تپه­های هرمی شکل کوچک ظاهر می­شود که تعداد، شکل و نحوه توزیع آنها در روی سطح سیلیکون کاملا تصادفی است. تعداد ناهمواری ­با افزایش غلظت tmah کاهش می­یابد و سطح سیلیکون حکاکی شده در tmah  با غلظت­های بالا، صاف­تر می­باشد. درضمن بیشترین مقدار نرخ زدایش در صفحه <100> نسبت به صفحه <111> برای tmah با غلظت­10% به دست آمده است که مقدار آن 6/10 است. زدایش سیلیکون با tmah در این غلظت کمترین زیربریدگی را دارد.