>
Fa   |   Ar   |   En
   اثر فرآیند اتصال نورد تجمعی بر رفتار خوردگی نانو کامپوزیتAl-nano ZrO2  
   
نویسنده متین سینا ,پاکشیر محمود ,بازرگان لاری رضا ,مرشد‌بهبهانی خشایار
منبع فرآيندهاي نوين در مهندسي مواد - 1394 - دوره : 9 - شماره : 1 - صفحه:81 -88
چکیده    در این تحقیق به بررسی رفتار خوردگی نانو کامپوزیت al-nano zro2 تولید شده به روش اتصال نورد تجمعی (arb) پرداخته شده است. ورق های آلیاژ آلومینیوم با ابعاد mm  1*40*250  آنیل شده در دمای k 623 و فشار اتمسفر محیط، و پودر zro2 با اندازۀ میانگین  nm40 به عنوان مادۀ اولیه استفاده گردیدند. کامپوزیت al- nano zro2 طی 5 سیکل ساخته شد. به منظور انجام آزمون های الکتروشیمیایی، نمونه های مستطیلی با ابعاد mm  1*10*10 بریده شده، به سیم مسی متصل و سپس مانت سرد گردیدند. پتانسیل مدار باز (ocp) نمونه ها پس از 24 ساعت غوطه وری در آب دریای مصنوعی (3.5wt% nacl) اندازه گیری شد و سپس آزمون های طیف سنجی امپدانس الکتروشیمیایی (eis) و پتانسیودینامیک با نرخ روبش mv/s 1 انجام گردید. نتایج آزمون پتانسیودینامیک حاکی از کاهش دانسیتۀ جریان خوردگی با افزایش تعداد سیکل های نورد می باشد. نتایج eis نیز بیانگر افزایش مقاومت پلاریزاسیون (rp) با افزایش تعداد سیکل های نورد می باشد. تصاویر sem در سیکل های 1، 3 و 5، نشان می دهد که با افزایش تعداد سیکل های نورد، توزیع یکنواختی از ذرات zro2 در ماتریس آلومینیوم ایجاد می‌شود. بنابراین می توان نتیجه گیری کرد که به دلیل افزایش ضخامت و یکنواختی لایه اکسیدی در اثر افزایش سیکل های نورد، مقاومت به خوردگی این کامپوزیت افزایش یافته است. این لایۀ متراکم اکسیدی، در نتیجۀ توزیع یکنواخت ذرات نانو zro2 در ماتریس می‌باشد که به افزایش مقاومت به خوردگی کامپوزیت کمک می‌کند.
کلیدواژه اتصال نورد تجمعی ,نانو کامپوزیت ,پلاریزاسیون پتانسیودینامیک ,طیف سنجی امپدانس الکتروشیمیایی
آدرس دانشگاه شیراز, دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشگاه شیراز، دانشکدۀ مهندسی، بخش مهندسی مواد، شیراز, ایران, دانشگاه شیراز, دانشیار، دانشگاه شیراز، دانشکده مهندسی، بخش مهندسی مواد، شیراز, ایران, دانشگاه آزاد اسلامی واحد مرودشت, بخش مهندسی مواد, ایران, دانشگاه شیراز, دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشگاه شیراز، دانشکدۀ مهندسی، بخش مهندسی مواد، شیراز, ایران
 
     
   
Authors
  
 
 

Copyright 2023
Islamic World Science Citation Center
All Rights Reserved