بررسی تاثیر افزودن نانو ذرات tio2 بر روی هدایت الکتریکی نانو کامپوزیت rgo-zno

پژوهش حاضر در ارتباط با بررسی هدایت الکتریکی نانو کامپوزیت rgo-zno-tio2 در مقایسه با نانو کامپوزیت rgo_zno می باشد. در راستای انجام این پژوهش ابتدا گرافن اکساید با استفاده از روش هامر اصلاح شده سنتز و جهت تبدیل به گرافن اکساید احیاشده (rgo) تحت نور uv و دما قرار گرفت.سنتز نانو ذرات tio2 و zno توسط روش سل ژل انجام شد. جهت مشخصه یابی نانو ذرات سنتز شده،این نانو ذرات تحت آنالیز فازی xrd،drsuv و ftir قرار گرفتند و سنتز این نانو ذرات به خوبی اثبات گردید. جهت آماده سازی نمونه ها با استفاده از روش غوطه وری،نانو ذراتrgo ، zno وtio2 به ترتیب بر روی شیشه fto پوشش داده شدند و میزان باند گپ توسط روش تاک پلات و هدایت الکتریکی با استفاده از طیف سنجی امپدانس الکتروشیمیایی محاسبه ودو نمونهrgo-zno با rgo-zno-tio2 مقایسه گردید. نتایج حاصل از مقایسه این دو نمونه نشان داد افزودن نانو ذرات tio2به نانو کامپوزیت rgo-zno باعث کاهش باند گپ از 3.22 به 3.11 و افزایش مقاومت از 10^4*2.8 اهم به 10^4 *5.76 اهم می گردد.با بررسی سطوح انرژی نانو ذرات zno,rgo,tio2 ، علت این افزایش مقاومت به بالاتربودن سطح انرژی zno نسبت به tio2 و عدم توانایی الکترون در غلبه بر این سدپتانسیل در عدم حضور نور uv نسبت داده شده و قرار دادن این نمونه تحت نور uv و کاهش شدید مقاومت تائیدی بر این مکانیزم می باشد.