>
Fa   |   Ar   |   En
   تاثیر ضخامت بر ویژگی های ساختاری، اپتیکی و الکتریکی لایه های نازک اکسیدروی آلایش یافته دوگانه (zno: cu, al)  
   
نویسنده دژم لعیا ,رمضانی امیر هوشنگ
منبع مهندسي متالورژي و مواد - 1402 - دوره : 34 - شماره : 2 - صفحه:19 -32
چکیده    لایه های نازک اکسیدروی (zno) آلایش یافته با آلومنیوم و مس (cazo) توسط کندوپاش مغناطیسی جریان مستقیم (dc) تهیه شد. ویژگی‌های ساختاری، اپتیکی و الکتریکی لایه های نازک آلایش یافته دوگانه با استفاده از روش های مشخصه یابی پراش اشعه ایکس(xrd) ، میکروسکوپ نیروی اتمی (afm)، طیف سنج نوری (spectrophotometer) و پراکندگی بازگشتی رادرفورد (rms) مورد بررسی قرار گرفتند. لایه های نازک با ضخامت های مختلف ساختاری آمورف داشتند. نمودار توزیع ذرات نشان داد که با افزایش ضخامت، اندازه نانوذرات از 10 نانومتر به 25 نانومتر رسیده و بازه تغییرات اندازه ذرات نیز افزایش یافته است.انرژی باندگپ با افزایش ضخامت کاهش یافته اما انرژی اوربچ افزایش یافته است. لایه cazo با ضخامت 50 نانومتر انرژی فعالسازی کمتر و غلظت حامل های دهنده بیشتری داشتند اما با افزایش ضخامت، غلظت این نوع حامل ها (نوع n) کاهش می یابد، زیرا رسانش در لایه ها کمتر شده و مقاومت در لایه های cazo با ضخامت 150 نانومتر افزایش یافته است.
کلیدواژه اکسیدروی آلایش یافته دوگانه، انرژی باندگپ، انرژی اوربچ، مقاومت الکتریکی، انرژی فعالسازی
آدرس دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران غرب, گروه فیزیک, ایران, دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران غرب, گروه فیزیک, ایران
پست الکترونیکی ramezani.1972@gmail.com
 
   effect of thickness on structural, optical and electrical properties of co-doped zno thin films (zno: cu, al)  
   
Authors dejam laya ,ramezani amir hoshang
Abstract    co-doped zno thin films (cazo) were prepared by dc magnetron sputtering. the structural, electrical and optical properties of thin films were investigated using x-ray diffraction (xrd), atomic force microscopy (afm), optical spectrophotometer and raderford back scattering (rbs) techniques. the cazo thin films with different thicknesses had an amorphous structure. the particle distribution diagram showed that with the increase in thickness, the size of nanoparticles reached from 10 nm to 25 nm and the range of particle size changes also increased. the bandgap energy decreased with the increase in thickness, but the urbach energy increased. the cazo thin film with a thickness of 50 nm had lower activation energy and a higher concentration of donor carriers, but with increasing thickness, the concentration of this type of carriers (n-type) decreases, because the conduction in the layers decreases and the resistance in cazo thin films with a thickness of 150 nm has increased.
Keywords co- doped zinc oxide ,bandgap energy ,urbach energy ,electrical resistance ,activation energy
 
 

Copyright 2023
Islamic World Science Citation Center
All Rights Reserved