ساختار نواری و تابش گرمایی بلور فوتونیکی دو بعدی سیلیکونی

در این تحقیق ساختار نواری، خواص اپتیکی و طیف تابش گرمایی بلور فوتونیکی دوبعدی سیلیکونی حفره ای با ساختار شش گوشی محاسبه شده است. ساختار نواری، نقشه و اندازه گاف نواری به روش بسط امواج تخت بر حسب شعاع محاسبه شده است. برای این بلور فوتونیکی با ثابت شبکه a، بیشینه گاف قطبش های te و tm و بیشینه گاف کامل به ترتیب 51%، 20% و 17% و مربوط به شعاع های a43/0 و a50/0 و a48/0 می باشد. با محاسبه طیف جذب به روش fdtd و با استفاده از قانون کیرشهف، طیف تابش گرمایی در ناحیه m 1 μتا m 10 μ محاسبه شده است. نتایج به دست آمده نشان می دهد که با تنظیم پارامترهای هندسی شبکه، می توان ساختار نواری بلور فوتونیکی سیلیکونی را مهندسی نمود و طیف تابش گرمایی را به نحوی کنترل نمود که در سیستم های ترموفوتوولتایی قابل استفاده باشد.