>
Fa   |   Ar   |   En
   اثر حضور نقاط کوانتومی یگانه و دوگانه بر ترابرد فرمیون های غیربرهمکنشی در دیودهای تونل زنی تشدیدی  
   
نویسنده آصف پور محمدتقی ,صاحب سرا پیمان
منبع پژوهش فيزيك ايران - 1396 - دوره : 17 - شماره : 3 - صفحه:457 -463
چکیده    در این مقاله با استفاده از رهیافت تابع گرین، ترابرد را در یک دیود تونل زنی تشدیدی دوقطبی را در نظریه میکروسکوپی بررسی نموده ایم. برای این منظور با در نظر گرفتن هامیلتونی قسمت های مختلف دستگاه فوتوولتایی pin به تفصیل، تابع گرین تک ذره ای الکترون ها و حفره ها را در تقریب تنگابست محاسبه کرده و سپس با استفاده از این تابع گرین محاسبه شده، چگالی موضعی حالت ها و چگالی جریان را به دست آورده ایم. نتایج نشان دهنده یک رفتار غیراهمی بوده و بیانگر یک مقاومت منفی در دیودهای تشدیدی تونل زنی است. علاوه بر این نتایج نشان می دهند که وجود یک میدان الکتریکی طولی منجر به این می شود که چگالی محلی حالت ها متناسب با پتانسیل اعمال شده تغییر نماید. علاوه بر این وارد نمودن نقاط کوانتومی باعث می شود که مقاومت دیفرانسیلی منفی ناشی از پدیده تونل زنی تشدیدی در دستگاه مشاهده شود. از نتایج محاسبات بر روی این دیودها می توان در محاسبه جریان تاریک سلول های خورشیدی استفاده نمود.
کلیدواژه دیود تونل‌زنی تشدیدی، تابع گرین، نقطه کوانتومی، ترابرد، چگالی موضعی حالت‌ها
آدرس دانشگاه صنعتی اصفهان, دانشکده فیزیک, ایران, دانشگاه صنعتی اصفهان, دانشکده فیزیک, ایران
پست الکترونیکی sahebsara@cc.iut.ac.ir
 
   Transport in quantum dots resonant tunneling diodes in non-interacting regime  
   
Authors Asefpour M T ,Sahebsara P
  
 
 

Copyright 2023
Islamic World Science Citation Center
All Rights Reserved