|
|
|
|
اثر حرکت نقص پیوندی بر رسانش الکترونی نانوساختارهای خطی و حلقوی
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
ربانی حسن ,مردانی محمد ,مقبل سمانه
|
|
منبع
|
پژوهش فيزيك ايران - 1395 - دوره : 16 - شماره : 2 - صفحه:225 -230
|
|
چکیده
|
در این مقاله مبتنی بر روش تابع گرین در رهیافت تنگابست، ترابرد الکترونی یک نانو نوار گرافنی شامل یک نقص پیوندی و همچنین یک نانو سیم پلی استیلنی شامل یک پیوند اضافی، مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان می دهد که رسانش الکترونی نسبت به تغییر مکان نقص پیوندی در موارد تشدیدی و غیر تشدیدی، رفتاری متفاوتی از خود نشان می دهد. تنها در مواردی که پیوندهای دوگانه داریم، با تغییر مکان پیوند مقدار رسانش در انرژی صفر، تغییر می کند. به خصوص در نانو سیم پلی استیلنی این تغییرات بیشتر مشاهده می شود. میزان جابه جایی مکان ضد تشدیدها در طیف رسانش، نسبت به تغییر محل نقص پیوندی نیز قویاً به نوع و شکل ساختار سامانه مرکزی وابسته است.
|
|
کلیدواژه
|
نانو‌نوار گرافن، پلی‌استیلن، حرکت پیوند، نقص، تنگابست، رسانش الکترونی
|
|
آدرس
|
دانشگاه شهرکرد, دانشکده علوم پایه, گروه فیزیک, ایران, دانشگاه شهرکرد, دانشکده علوم پایه, گروه فیزیک, ایران, دانشگاه شهرکرد, دانشکده علوم پایه, گروه فیزیک, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
The effect of bond defect movement on the electronic conductance of linear and cyclic nanostructures
|
|
|
|
|
Authors
|
Rabani H ,Mardaani M ,Moghbel S
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|