پایداری سامانه اندازه‌گیری طول عمر پوزیترون و بررسی نوع و غلظت عیب ناشی از تابش الکترون‌ های 10 مگا الکترون ولتی بر نمونه‌های سیلیکونی نوع n و p

طیف‌سنجی طول عمر نابودی پوزیترون در ماده، یکی از روش‌های با ارزش و غیر مخرب در زمینه مطالعه مواد است که می‌تواند اطلاعاتی در مورد چگالی الکترونی، غلطت عیب، نوع عیب و اتم‌های اطراف عیب ارائه دهد. در این تحقیق، پایداری زمان‌سنجی دستگاه بررسی و اثبات شده است. قدرت تفکیک زمانی دستگاه با چشمه کبالت، 365 پیکوثانیه به دست آمده است. نمونه‌های سیلیکونی نوع n و p تحت تابش باریکه الکترون با مقادیر دز تابشی متفاوت 3، 12 و 30 کیلوگری با انرژی mev 10 و حداقل جریان باریکه ma 0.2 قرار گرفته است. آمار جمع‌آوری شده برای هر نمونه، حداقل یک میلیون و دویست هزار شمارش است که معمولا طی یک شبانه روز ثبت می‌شود. طیف‌های ثبت شده، با برنامه رایانه‌ای ‌ pascualبه سه مولفه طول عمر برازش، تجزیه و تحلیل شده است. اولین مولفه طول عمر، مربوط به نابودی پوزیترون درچشمه و حدود ps 186، دومین مولفه طول عمر مربوط به نابودی پوزیترون در حجم نمونه و حدود ps218 و سومین مولفه طول عمر، مربوط به نابودی پوزیترون در عیوب است که برای نمونه‌های مختلف، کوچک و متفاوت می‌باشد.

Stability of a positron lifetime measurement system, and investigation the types and concentrations of defects induced by10 MeV electron irradiation on n and ptypes Si

Positron annihilation lifetime spectroscopy method with valuation of nondestructive investigation of material, provides information about electron density, defect concentration, type of defects and atoms around the defects. The stability of the system was tested with a source. The time resolution of the whole system has been derived about 365 ps at FWHM. Then n and ptype silicon samples were irradiated with a 10 MeV electron beam with dosage of 3, 12, and 30 kGy. Three components were fitted to the lifetime spectra using the PAScual program. The first component is related to the positron annihilation in the positron source which was obtained 186 ps. The second component is related to the positron annihilation lifetime in the sample bulk which was obtained 218 ps. The last lifetime component which is related to the positron annihilation in defect was small and sample dependent