|
|
|
|
بررسی ثابت دی الکتریک لایه نازک SiO2با استفاده از آزمون بیضی سنجی
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
سنگ‌پور پروانه ,خسروی کمیل ,کاظم‌زاد محمود
|
|
منبع
|
پژوهش فيزيك ايران - 1393 - دوره : 14 - شماره : 2 - صفحه:161 -166
|
|
چکیده
|
Sio2در این مقاله به بررسی رفتار نوری لایه‌های نازک (teos )تهیه شده به‌روش سل ژل چرخشی با استفاده از پیش ماده تترااتیل اورتوسیلیکات، در دماهای مختلف(600– 400) درجه سانتی‌گراد پرداخته شده uv-vis است. از نتایج حاصل از آزمون برای به‌دست آوردن لبه جذب و گاف انرژی لایه‌ها و از آزمون بیضی سنجی (الیپسومتری) برای به‌دست آورن ضریب شکست نوری و ضرایب دی الکتریک آنها استفاده شد. نتایج نشان داد که لایه‌های نازک سیلیکا به‌دست آمده از این روش دارای عدد سطح ویژه و درصد تخلخل بالای بین 9/4 و 2/16، چگالی کم 2 و ضریب دی الکتریک پایین 2 است. همچنین با افزایش دما ثابت دی الکتریک و درصد تخلخل لایه‌ها افزایش یافته است که علت این امر تغییرات زبری سطح و اندازه ذرات می‌باشد.
|
|
کلیدواژه
|
ellipsometry ,sol - gel ,dielectric constant ,SiO2 thin film ,الیپسومتری ,سل ژل ,لایه نازک سیلیکا ,ثابت دی الکتریک
|
|
آدرس
|
پژوهشگاه مواد و انرژی, پژوهشکده فناوری نانو و مواد پیشرفته, ایران, پژوهشگاه مواد و انرژی, پژوهشکده فناوری نانو و مواد پیشرفته, ایران, پژوهشگاه مواد و انرژی, پژوهشکده فناوری نانو و مواد پیشرفته, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Authors
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|